АЛМАТЫ ЭНЕРГЕТИКА ЖӘНЕ БАЙЛАНЫС ИНСТИТУТЫ

ЭЛЕКТРОНИКА ЖӘНЕ КОМПЬЮТЕРЛІК ТЕХНОЛОГИЯЛАР КАФЕДРАСЫ

                                                                      

 

ЭЛЕКТРОНИКА ЖӘНЕ АНАЛОГТЫҚ ҚҰРЫЛҒЫЛАР СХЕМОТЕХНИКАСЫ

 

(050719 – мамандығының күндізгі бөлімінің студенттеріне арналған)

Оку құралы

КЕЛІСМ БЕРГЕН                                               ЭКТ кафедрасының отырысында қарастырылды және мақұланды

                                           

Алматы 2009

Электроника жјне аналогтыќ ќўрылєылар схемотехникасы:. Оку ќўралы Б.М.Шайхин, Ў.Ќ.Дегембаева

 Оқу құралында пәннің оқылу шеңберінде қалып қоймай, электронды техника құрушылары және олардың аналогтық құрылғылар схемотехникасында қолданылуы қарастырылған. Нақты схемалардың жұмыс істеу қағидалаы, олардың ерекшеліктері және негізгі сипаттамалары келтірілеген.

Мазмұны 

Кіріспе.

1.1 Заттың  құрылысы туралы негізгі түсініктер..

1.2 Электрондардың электр өрісі ішінде  қозғалуы .

1.3 Заттың құрылымы .

2 Шала өткізгішті диод  

2.1 Диодтың вольт амперлік- сипаттамасы

2.2 Варикаптар

2.4 Жоғарғы жиілікті диодтар (ЖЖД)

3 Биполярлық транзистордың құрылысы мен жұмыс істеу қағидасы…

3.1Эмиттер тоғының беріліс еселеуіші ((коэффициенті).

3.2Дәріптелген транзистор және оның ВАС - ы...

4.1 БПТ-нің статикалық сипаттамаларына температураның әсері.

5 Өрістік транзисторлар.

6 Бір p-n-ауысуы бар транзистор..

7 Кремнийден жасалған басқарылатын диод және тиристорлар тобы (үйірі)..

8 Күшейткіштік жұмыс нүктесін тұрақтандыру..

9 Күшейткіштер туралы түсінік. Операциялық күшейткіштер..

10 Күшейткіштердегі кері байланыс. Кері байланыстың түрлері..

11 Тұрақты ток күшейткіштері. Негізгі қағидалар..

12 Транзисторлы дифференциалдық күшейткіш.

13 Үзгіші бар тұрақты ток күшейткіші..

14 Интегралды операциялық күшейткіштер және олардың негізіндегі схемалар..

15 Терістеуші  күшейткіш (инвертор).

16 Қосындылағыш..

17 Кернеудің қайталағышы..

18. Терістемейтін.күшейткіш..

19 Операциялық дифференциалдық күшейткіш (ДК)..

20 Интегратор.

21 Дифференциатор..

22 Сүзгілер.....

23 Шмитт триггері...

24 Кернеу қайталағышы/инвертор..

25 Ток/кернеу түрлендіру..

26 Шығыс сигналы сызықты өзгеретін схема..

27. Максимал мәндерді бөліп шығару схемасы

27 ОК негізіндегі тікбұрышты импульстер генераторы.

28 Интегралдық схемалар негізіндегі күшейткіштер..

29 Логикалық элементтер және логикалық функциялар..

30 Аналогты-цифрлық функционалды құрылғылар..

32 Әдебиеттер тізімі…

 

Кіріспе

 

        «Электроника және аналогтық құрылғылар схемотехникасы деген пән оқу процесінің түйінді пәні болып табылады. Оның мақсаты – типтік радиоэлектрондық (РЭ) аппаратураның аналогты күре жолдарының нақтылық схемаларының синтезін, бұл схемалардың құрылымдары мен құраушыларының дәлелді таңдалуын техникалық сауатты орындай алатындай етіп студенттерге білім беру.

        Оқу құралы аналогтық күшейту күре жолдарын және аналогтық сигналдарды түрлендірудің, соның ішінде тұрақты ток күшейткіштерін, кең жолақты күшейткіштер мен шектік сезгіштікті күшейткіштерін, қуат және қарқындылығы үлкен сигналдар күшейткіштерін, сызықты, сызықты емес және параметрлік типті түрлендірудің аналогтық функционалдық құрылғыларын ұйымдастыруда пайдаланылатын негізгі (типтік) базалық схемаларының жиналу принципі мен жұмыс істеуі қарастырылған.

Оқу құралында жиналған мәліметтер, қазіргі заман техникасының әдістерін және аналогты схемаларды жобалауда есептеуіш техника құралдарын пайдаланудың даму бағытын, аналогты күре жолдарының параметрлері мен сипаттамаларының нақты күшейткіш аспапқа  және оның жұмыс істеу шарттарына болмашы тәуелділікті қамтамасыз ететін, аналогты күре жол құраушыларының қасиеттері туралы тек шектелген бастапқы деректері барында ғана оның қасиеттерін талдау мүмкіндігін беретін схемалық ұйымдастырулардың қолдануын қамтиды.Осының салдарынан оқу құралындағы мәліметтердің негізгі баяндалуы, физикалық балама схемаларының қолданылуына, соның ішінде күшейткіш аспаптардың және электрондық тізбектердің қасиеттерін, олардың Y - параметрлерін сипаттағанда бірінші кезекте пайдаланылуына, инженерлік қолдану үшін бейімделінген кері байланыс теориясының негізгі баптарын (ереже жиынтығын) қарастырылуына негізделеді.

        Күшейткіш каскадтарды талдағанда біз жеңілдіктер енгіземіз – орын басу схемаларына көшеміз, ал содан кейін күшейткішті төртполюстік ретінде қарастырамыз және т.с.с.

        РЭ аппаратураны дамытудың қазіргі кезеңінде, жекеленген дискретті құраушылардан жиналған схемаларды микроэлектроника (МЭ) әдістерімен әзірленген және микросхема (МС) деп аталатын дайын функционалдық түйіндерге толығымен алмастыру орын алды. Аналогтық электрондық аппаратураны жетілдіру аналогтық микросхемалардың (АМС) номенклатурасының, яғни қолданылатын (МС) атауларының тізімінің біршама аздығынан туатын кейбір қиындықтармен байланысты. Әдістеріндей, аналогтық МС-тер қосымша сыртқы дискретті элементтермен бірге пайдаланылады да, бұл жағдай микросхеманың электр схемасын білуді талап етеді. Тұтынушыларды (АМС)-термен (оларды кейде сызықты деп те атайды) қамтамасыздандырудың қиындығы негізінен екі себептен болады: керекті МС түрлерінің көптігінен және олардың тұрақтандырылуы мен параметрлерінің бытыраңқылығына қатаң талаптар қойылатындығынан.

Дегенмен, аналогтық техниканың көптеген мәселелері әмбебап МС-тердің шектелген санын қолдану жолымен шешіле алады, тек бұл МС-тер электр сигналдардың түрлі функционалдық түрлендірулерін орындауға қабілетті болуы тиіс. Ұқсас МС-тердің әмбебаптығына көбінесе электр схемасының күрделенуімен, олардың құрылымындағы белсенді элементтер санының және сыртқы шықпалар сандарының өсірілуімен жетеді. Шықпаларына резисторларды, конденсаторларды, индуктивтік оралымдарды жалғау МС параметрлеріне елеулі әсер етеді. Сондықтан АМС-терді тиімді пайдалана алу үшін сыртқы шығыс паспорттық  деректерді ғана біліп қоймай, бұл берілген АМС-те іске асырылған электр схемасының жұмыс істеу қағидасын да білу керек.

Қазіргі АМС-тердің электр схемаларында қарапайым күшейту ұяшығы ретінде көптранзисторлы каскадтар пайдаланылады. Күшейткіш каскад дифференциалдық схема бойынша немесе тізбектеліп қосылған транзисторлардың схемасы бойынша («баспалдақ түріндегі» көптранзисторлы каскад) жиналады.

Ғылым мен техникада көп кездесетін инженерлік мәселелерді шешкен кезде электрлік сигналдарды күшейту керектігі тұрады: мысалға электрлік емес мәндерді электрлік мәндерге түрлендіріп өлшегенде, технологиялық процестерді тексеріп және автоматизация жасағанда немесе әртүрлі өнеркәсіптік электрониканың қондырғыларын жасағанда. Электрлік сигналдарды күшейту үшін биполярлық транзисторлар, өрістік транзисторлар және интегральдық микросхемалар кеңінен қолданылады. Бұл күшейткіштер өте әлсіз электрлік сигналдарды (кернеулері 10-7 В, тоқтары 10-14 А шамалас) күшейтуге мүмкіндік береді. Бір транзистордан немесе күшейткіш элементтен және оған қарасты байланыс элементтерінен тұратын күшейткішті каскад деп атайды. Транзисторлар арқылы аса үлкен күшейтуге жету үшін бірнеше күшейткіш каскадтарды қолданады. Күшейту процесі қоректену көзінің энергиясын күшейткіштің сыртқы сигналының энергиясына түрлендіру болып табылады. Бұл процесті басқару күшейткіш элементіне немесе транзисторға әсер ететін кірме сигнал арқылы жүргізіледі. Шығыс сигнал кіріс сигналдың функциясы болып табылады, сонымен қатар шығыс күшейтілген сигналдың қуаты, кіріс күшейтілетін сигналдың қуатынан, қоректену көзінің энергиясының арқасында әлдеқайда артық болады.

Оқу құралында аналогтық күшейту күре жолдарын және аналогтық сигналдарды түрлендіру, соның ішінде тұрақты ток күшейткіштерін, кеңжолақты күшейткіштер мен шектік сезгіштікті күшейткіштері, қуат және қарқындылығы үлкен сигналдар күшейткіштері, сызықты, сызықты емес және параметрлік типті түрлендірудің аналогтық функционалдық құрылғыларын ұйымдастыруда пайданылатын негізгі (типтік) базалық схемаларының жиналу принципі мен жұмыс істеуі қарастырылған.

Оқу құралында жиналған мәліметтер қазіргі заман техникасының әдістерін және аналогты сұбаларды жобалауда есептеуіш техника құралдарын пайдаланудың даму бағытын,  аналогты күре жолдарының параметрлері мен сипаттамаларының нақты күшейткіш аспапқа  және оның жұмыс істеу шарттарына болмашы тәуелділікті қамтамасыз ететін аналогты күре жол құраушыларының қасиеттері туралы тек шектелген бастапқы деректері барында ғана оның қасиеттерін талдау мүмкіндігін беретін схемалық ұйымдастырулардың қолдануын қамтиды. Осының салдарынан оқу құралындағы мәліметтердің негізгі баяндалуы физикалық балама схемаларының қолданылуына, соның ішінде  күшейткіш аспаптардың және электрондық тізбектердің қасиеттерін, олардың Y -параметрлерін сипаттағанда бірінші кезекте пайдаланылуына, инженерлік қолдану үшін бейімделінген кері байланыс теориясының негізгі баптарын  (ереже жиынтығын) қарастырылуына негізделеді.

Күшейткіш каскадтарды талдағанда біз оңайлатулар енгіземіз – орын басу схемаларына көшеміз, ал содан кейін күшейткішті төртполюстік ретінде қарастырамыз және т.т.

РЭ аппаратураны дамытудың қазіргі кезеңінде, жекеленген дискретті құраушылардан жиналған схемаларды микроэлектроника (МЭ) әдістерімен әзірленген және микросхема (МС) деп аталатын дайын функционалдық түйіндерге толығымен алмастыру орын алды. Аналогтық электрондық аппаратураны жетілдіру аналогтық микросхемалардың (АМС) номенклатурасының, яғни қолданылатын (МС) атауларының тізімінің біршама аздығынан туатын, кейбір қиындықтармен байланысты. Әдеттегідей, аналогтық МС-тер қосымша сыртқы дискретті элементтермен бірге пайдаланылады да, бұл жағдай микросхеманың электр схемасын білуді талап етеді. Тұтынушыларды АМС-термен (оларды кейде сызықты деп те атайды) қамтамасыздандырудың қиындығы негізінен екі себептен болады: керекті МС түрлерінің көптігінен және олардың тұрақтандырылуы мен параметрлерінің бытыраңқылығына қатаң талаптар қойылатындығынан.

 

1 Электронды техника құраушылары

1.1 Заттың құрылысы туралы негізгі түсініктер

 

       Бізді қоршаған дүние заттың ең кіші бөлшектерінен - молекулалардан тұрады да, бұл молекулалар осы заттың барлық қасиеттеріне иеленіп, тәуелсіз өмір сүре алады. Молекулалар әртүрлі атомдар топтарынан құралады. Табиғатта жүзден астам элементтер бар, сутегінен бастап (атомдардың ең жеңілінен бастап) уранға дейін (атомдар арасындағы ең ауырлардың бірі).

Атом құрылымы

Н.Бордың және басқа физиктердің ғылыми жұмыстары, электрондардың орбиталары белгілі бір қабаттарда орналасады да, бұл қабаттардағы белгілі бір максималды электрондардың саны болуы мүмкін деген тұжырымдарды қамтыған. Бірінші қабатта 2 электрон, екіншісінде 8 электрон. Жалпы жағдайда әрбір қабаттағы электрондар санын келесі өрнектен таба аламыз:

2n2 , бұл жерде n=1,2,3.... және т.б.

Химиялық реакциялардың бәрі және электр эффектер әрбір жеке атомның сыртқы қабатындағы электрондардың тәртібімен байланысты! 

Электрондар және электр тоғы 

Егер атомның соңғы (сыртқы) қабаты толығымен толтырылмаған болса, электронды ядромен байланыстырушы күштер әлсіз болады. Жылулық әсерінен бұл электрондар оңай (жеңіл) үзіліп алынады да, осының нәтижесінде оң зарядталған атомдар - иондар пайда болады. Еркін электрондар зат ішінде басқа бір ионмен кездескенше орын ауыстырады. Егер, кездескен ионға электрондар жетіспейтін болса, яғни оң таңбалы ион бұл кездескен электронды қармап алады. Еркін электрондардың генерациялануы және олардың қайтадан қармап алынуы үздіксіз процесс, сондықтан да мұндай зат теріс таңбалы газбен (электрондық газбен) сіңдірілген сияқты болады. 

Егер, осы заттан тұратын дененің қарама-қарсы шеттеріне полярлықтары әртүрлі электр потенциалдарын түсірсек, еркін электрондар потенциалы оң таңбалы түйіспеге қарай үдемелі қозғала бастайды. Қозғалу жолында олар зат құрамындағы атомдармен соқтығысып, энергия бөліп шығарады. Міне, осы энергияны біз жылу түрінде түсінеміз (қабылдаймыз). Бұл процесс  нәтижесінде электрондар оң таңбалы түйіспе бағытында тұрақты жылдамдықпен ығиды, электрондардың осындай қозғалысы ток тудырады. Потенциалдар айырымын өсіргенде электрондардың қозғалуының орташа жылдамдығы да өседі, яғни электр тоғы пропорционалды түрде өседі. Электрондар атомдармен соқтығысқанда оларға энергия береді, ал бұл энергия жылу түрінде бөлінеді. Бұл эффект электр тогымен қыздыру немесе токтың жылулық әрекеті ретінде белгілі.

Жоғарыда қарастырылған эффекттер -  орын алатын материалдар  ОМ өткізгіштері деп аталады. Омның ашқан заңы бойынша Омның өткізгіштері үшін келесі өрнек жазуға болады.

Мұнда өрнектегі const-та – материалдың электр кедергісі (R-символымен белгіленеді). Егер кернеу вольтпен, ал ток ампермен өлшенсе, онда кедергі оммен өлшенеді.

Электр кедергі тек қана омдық емес, қызу себебінен және кейбір басқа эффекттердің әсерінен бірқатар материалдарда қатынасы комплексті түрге айналады. Яғни кедергінің келесі түрлері болады:

белсенді (омдық) кедергі;

реактивті (сыйымдылықтық және индуктивтік) кедергі;

комплексті (белсенді  және  реактивті құраушылардың векторлық қосындысы)

 

1.2 Электрондардың электр өрісі ішінде қозғалуы

Егер вакуум ішінде екі тілік-пластиналар арасында потенциал бар болса, онда электрон олардың арасына кірген электронға потенциалы оң таңбалы тілікке бағыттайтын тартылыс күші әрекет етеді.

 

    

1.1 Сурет Электрондар шоғының электр өрісі ішінде ауытқуы

 

Тіліктерге түсірілген потенциалдар айырымын өзгере отырып, ауытқу бұрышын басқара аламыз. Бұл эффект электрондық сәуле түтікшелерде қолданылады.

Электрондардың магнит өрісіндегі қозғалысы.

Тәжірибеден келесі эффект болатынын білеміз. Магнит өрісі ток жүріп тұрған сымға әрекет етуші күштің пайда болуына әкеліп соғады, ал қозғалыстағы электрон – ол да электр тоғы, сондықтан бұл эффекттің әсерін қозғалатын электрондарға да бақылауға болады.

Бұл күштің бағытын сол қол ережесі арқылы анықтаймыз. Электронға әрекет ететін күш осы электрон магнит өрісі векторына перпендикуляр бағытта қозғалғанда пайда болады. Бұл күш магнит өрісінің векторына тікбұрыш және электронның қозғалу бағытына да тікбұрыш жасайды. Міне, сондықтан, егер электрон магнит өрісінің бағытына параллель қозғалса, бұл күш әрекет етпейді.

Электронның электр өрісіндегі қозғалысы мен магнит өрісіндегі қозғалысының арасында маңызды айырмашылық бар. Электр өрісінде әрекет етуші күштің бағыты өзгермейді, ал магнит өрісінде бұл күш әрдайым электронның қозғалу бағытына тікбұрышты жасалды. Яғни белгілі бір бағыттағы магнит өрісіне келіп түскен электрон осы магнит өрісінің векторының бойымен спиральді траекториямен қозғалады. Міне, осы эффект, TV-тоғыстаушы түтікшелердегі шарғыларда қолданылады.

 

1.3 Заттың құрылымы

Зат келесі үш фазаларда (күйлерде) кездеседі: қатты, сұйық және газ түрінде. Суретте Ge немесе Si кристалының құрылымын келтіруге болады, яғни, моделін.

Қоспалы шала өткізгіштер

Таза күйінде Si және Ge диэлектриктік қасиеттерге ие, бірақ олардың өткізгіштігі аз мөлшерде (шамада) қоспаларды енгізсе, түпкілікті өзгереді.

 

 

1.2 Сурет

Суретте Ge-дің (кристалл торының) моделі, оның бір атомын As (күшән) атомымен ауыстырылған. Міне, осыны As-атомды қоспа дейді. Күшәннің (As-тің) сыртқы орбитасында 5 электрон, сондықтан Ge-кристалына “тұрғанда” оның бір электроны еркін болып қалады. Бұл артық электрон өте қозғалғыш, сондықтан потенциалдар айырымы пайда болғанда, ток тасымалдаушы бола алады. Еркін электрондар санын, (мөлшерін) шала өткізгіш ішіне енгізілетін қоспа атомдар санымен өзгертіп бақылауға (тексеруге) болады. Қоспаларды шала өткізгіштерге енгізгенде еркін электрондар пайда болса бұл шала өткізгіш енгізілген қоспа “донор” деп аталады, ал шала өткізгішінің өзі “қоспалы шала өткізгіш” деп аталады.

Донор қоспасы бар шала өткізгіштерде өткізгіштік еркін электрондармен сипатталады да, мұндай шала өткізгіштерді n-типті (negative) деп атайды.

Егер шала өткізгіш–кристалл тор ішінде сыртқы қабаттарында үш электрон болатын, мысалы Бор, Индий атомдарын енгізетін болсақ, электронның жоқтығы кристалл ішінде кемтіктің пайда болуын келтіреді. Сырттан түсірілген кернеу мұндай шала өткізгіштерде электрондардың оң таңбалы түйіспеге, ал кемтіктердің теріс таңбалы түйіспе жағындағы қозғалысына келтіріледі. Кемтіктердің қозғалысын да ток ретінде қарастыруға болады. Шала өткізгіштерді р-типті (positive) деп, ал қоспаларды “акцепторлар” деп атауға келіскен.

1.3 Сурет – Шала өткізгіштерді р-типті (positive) – акцепторлар көрсетілген

Жоғарыда қарастырылған негізгі заряд тасушылармен қатар (бұлар шала өткізгіш ішіне қоспаларды қосқанда пайда болады дедік) кәдімгі қыздыру әрекетінен пайда болатын еркін электрондар (оларды негізгі емес заряд тасушылар деп атайды) да токқа үлесін қосады.

p-n ауысу

Төмендегі Суретте көрсетілген құрылымның жартысы (оң жақтағы делік) n-типті қоспамен легирленген, ал екінші жартысы p-типті қоспамен. Р-n ауысудың шекарасында кемтіктер n-типті қабатқа, ал электрондар р-типтіге ұмтылады да, еркін тасушыларсыз аймақ пайда болғанға дейін, яғни тасушылар тепе-теңдігі орын алғанға дейін қозғалыста болады. Пайда болған еркін тасушыларсыз аймақ “кедейленген қабат” деп аталады да, диэлектриктер қасиеттерін сақтайды.

 p – типті                      n – типті

                     Кедейленген қабат                            Зарядтың үлестірілуі

1.4 Сурет – Р-n ауысу

Кедейленген қабаттағы зарядтың өсуі – бұл ішкі эффект, яғни p-n ауысудың шеттеріндегі потенциалдар айырымының өзгеруі бақыланбайды. Бірақ, егер, р-қабатқа оң потенциал, ал n-қабатқа – терісін (төмендегі Суретте көрсетілгендей) түсірсек, кемтіктер p-n ауысу арқылы р-қабаттан n-қабатқа қарай, ал электрондар n-қабаттанр-қабатқа ұмтылады. Ток пайда болады да, аспап іске қосылады.

Егер р-қабатқа теріс таңбалы потенциал, ал n-қабатқа – оңын (төмендегі б)-Суретте көрсетілгендей) түсірсек, кейбір электрондар мен кемтіктер орын ауыстырады да, негізгі эффект ретінде кедейленген қабаттың ұлғаюы (кеңеюі) орын алады. Қысқа уақыт аралығында ток ағып (бұл ток шамасын p-n ауысуды конденсатор ретінде қарастырып, сыйымдылығы үлкен емес болғандықтан оның зарядталуына эквивалентті деп санауға болады), аспап ток өткізбей қалады. Шын мәнінде, негізгі емес тасушылардың беретін тоғы ағады, бірақ оның шамасы өте кішкентай болғандықтан, есепке алынбайды.

1.5 Сурет– Р-n ауысу түзеткіш ретінде:

а) – тура ығысу

б) – кері ығысу

Сонымен, p-n ауысудың ВАС-сы айқын түрде көрініп тұрған сызықты емес форманы береді. Төмендегі суреттен келесі жағдайды көреміз. Ауысу ашылу үшін, яғни ол арқылы ток ағу үшін тура бағытта ауысуға шамалы болса да кернеу түсірілуі тиіс. Бұл кернеудің керегі сонда, яғни кедейленген қабаттағы потенциал тосқауылының тасушылары жеңуі тиіс. Потенциал тосқауылының шамасы келесі:

– Ge  үшін ~ 0,2 В

– Si   үшін ~ 0,7 В

Сонымен p-n ауысудың өзі – тамаша түзеткіш. Оның үстіне, бұл атақты ауысу басқа да күрделірек аспаптардың негізін қалайды.

1.6 Сурет –Р-n ауысудың вольт амперлік сипаттамасы

 

Туннельдік диод (Эсаки диоды) – ШӨ-диодтарының арасында оған тән кернеу бойынша оң кері байланысы және жақсы динамикалық қасиеттері бар болғандықтан ерекше орын алады.

1.7 Сурет – Туннельдік диодтың ВАС-ы

Туннельдік диодтың ВАС-ы дифференциалдық кедергінің теріс учаскесіне ие (СД). Бұл келесі жағдаймен түсіндіріледі. Жабу қабатының қалыңдығы өте жұқа болғанда (10 ...10 нм және одан да кіші) зарядтардың валенттік зонадан өткізгіштік зонаға туннельдік өтуі бақыланады. Өзінің осындай ВАС-ы арқасында туннельдік диод (ТД) тензобергіш ретінде кең қолданыс тапты.

Сонымен, ТД әрекеті еркін заряд тасымалдаушылардың (электрондардың) квантмеханикалық туннельдеу процесінің арқасында тар потенциалдық тосқауыл арқылы өтуіне негізделген.

Электрондардың тосқауыл арқылы туннельді өтіп кету ықтималдылығы айтарлықтай дәрежеде p-n өткелдегі кеңістіктік заряд аймағының енімен анықталатындықтан, ТД (вырожденные) айныған ШӨ-лер негізінде (қоспалар концентрациясы (1025 – 1027 м-3) жасалынады.

Міне, осының себебінен, күрт p-n-ауысуды (жабу қабатының қалыңдығы 5 – 15 нм) алуға болады.

ТД-ты жасағанда әдетте Ge және GaAs, сирегірек Si, InSb, InAs, PbTe, GaSb, SiC және т.б. қолданады.

Ge-ден жасалған диодтарда донор қоспалар Р немесе As, ал акцепторлар – Ga және Al;

GaAs үшін – Sn, Pb, S, Se, Te (донорлар), Zn, Cd (акцепторлар).

Тар p-n өткелді балқыту үшін енгізу әдісінің  көмегі арқылы жасайды.

Бірінші ТД-ты Ge-негізінде 1957жылы Л.Эссаки жасаған. ТД-тың ойлап табылуы, қатты дене ішінде туннельді процестердің бар екенін дәлелдеді.

Зарядтың тасымалы, туннельдік механизм бойынша жүруі, ТД ВАС-ның N-тәрізді жүруінің себепшісі болады (1.7 Суретті қараңыз).

1.8 Сурет – Туннельдік диодтың әртүрлі ығысу кездеріндегі р- n өткелінің энергетикалық диаграммалары:

U-туннельдік диодтағы ығысу кернеуі;

I/Imax диод арқылы жүретін токтың ВАС максимумдегі қатынасы;

Imin – ВАС минимумдегі тоғы (Imах-ге қатысты);

Umax мен Umin – Imax және Imin тоқтарға сәйкесті ығысу кернеулері; Iтун – туннельдік ток;

Ідиф – диффузиялық (яғни, жылулық ) ток.

Төмендегі 1.9 Суретте, туннельдік диодтағы (ТД-дегі) p-n өткелдің түрлі ығысу кернеуі болған жағдайдағы энергетикалық диаграммалары келтірілген.

1.9 Сурет – Туннельдік диодтың әртүрлі ығысу кездеріндегі p-n-өткелінің энергетикалық диаграммалары:

U1 мен U2 тура ығысулар;

U3 – кері ығысу; Еfp –кемтіктердің Ферми деңгейі; Еfn –электрондардың Ферми деңгейі; Еg –рұқсат етілмеген зонаның ені, W– p-n-өткелдің ені, е-электрон заряды;

Ітун –туннельдік ток; Ідиф–диффузиялық ток.

Сыртқы ығысу жоқ кезінде (1.9, а–Сурет) Efp мен Efn деп белгіленген Ферми деңгейлері айныған ШӨ p-n-өткелінің екі жағынан да бірдей деңгейде болады, яғни валенттік зонасындағы Efp және өткізгіштік зонасындағы Efn деңгейлерінде. Басқа сөзбен айтқанда, Ферми деңгейі ШӨ-бойымен тұрақты деген сөз. Рұқсат етілген энергетикалық деңгейлер Ферми деңгейінен төмен орналасқан, бәрі бос емес, ал Ферми деңгейінен жоғарыларын бос деп алайық. Олай болса, U=0 болғанда туннельдік өту (ауысу) мүмкін емес те, Ітун –ток нөлге тең болады (1.9 Суретте бұл жағдай А нүктесіне сәйкесті). Егер туннельдік диодта (ТД) шамасы үлкен емес тура кернеу p-n-өткеліне түсірілген болса, онда потенциалдық тосқауылдың биіктігі кемиді де, энергетикалық деңгейлердің р-аймақта n-аймақтағы деңгейлерге қатысты ығысуы орын алады (1.9, б Суретті қараңыз). Бұл жағдайда, n-аймақтағы өткізгіштік электрондар өзінің энергияларын өзгертпей, р-аймақтағы валенттік зонаның рұқсат етілген еркін (бос) деңгейлеріне потенциалдық тосқауыл арқылы туннельденіп өтеді де, ТД-ның ішінде туннельдік ток пайда болады. Бұл Ітун токтың бағыты электрондардың қозғалу бағытына қарама-қарсы (1.9 Суретте 2 қисықтағы “Б” нүкте). Кернеу шамасының өсумен Ітун.ток басында Імах мәніне дейін өседі (1.9 Суретте 2 қисықтағы “В” нүкте)   де, ал содан кейін (n-аймақтың өткізгіштік зонасының р-аймақтық валенттік зонасымен беттесу дәрежесінің кемуіне тәуелді) кемиді.

ТД-ның p-n өткеліне белгілі бір Umin шамасына жететін кернеу түсірілгенде n- мен р- аймақтардағы зоналар беттеспейді де (1.10, в Суретті қараңыз) туннельдік ток Ітун жүрмейтін болады (1.9-Суреттегі 2-қисықтың “Г”-нүктесіне сәйкесті болатын жағдай); енді p-n өткелі арқылы тек Ідиф диффузиялық ток қана ағады.

Егер U>Umin болса, ТД тура бағытта қосылған әдеттегі ШӨ-диодына ұқсас болады.

ТД-қа кері бағыттағы (U3<0) кернеулер түсірілгенде, (1.10, г Суретті қараңыз) оның ішінде пайда болатын ток, р-аймағының валенттік зонасынан n-аймақтық бос рұқсат етілген өткізгіштік зонаның энергетикалық деңгейлеріне электрондардың өтуімен түсіндіріледі. Бұл ток кері кернеу шамасының өсуімен тез өседі.

ТД-тың негізгі параметрлері:

Іmax – максимал тура ток;

Іmin – минимал тура ток;

Umax – Іmax токқа сәйкесті кернеу;

 

Umin – Іmin токқа сәйкесті кернеу;

бұл параметрлердің мәндері GaAs және Ge-ден жасалған ТД үшін 1.9-Суретте көрсетілген.

Жоғарыда келтірілген 1.9 Суреттегі “2” қисық сызықтық  “ВГ” – учаскесіндегі теріс дифференциалдық кедергі (ол осы жердегі ВАС-тың түсу учаскесінің көлбеулігімен анықталады да, абсолют шамасы бойынша түрлі ТД-тар үшін “1”-ден оншақты Ом аралығында жатады. ТД-тардың кәдімгі ШӨ-термен салыстырғанда (бірдей материалдардан жасалсын делік), жұмыс істеудің температуралар аралығы кеңірек болады, яғни:

Geден жасалса +200 0С;

GaAs –тен жасалса +600 0С.

ТД-тар ығысуларының жұмысшы ауқымы басқа ШӨ аспаптарымен салыстырғанда айтарлықтай шамасы төменірек  кернеулер аймағында орналасатындықтан, олар қуаты бойынша аз-қуатты (шығыс қуаты шамамен алғанда мВт).

Электрондардың туннельдеу процесінің аз инерциялық болуы, ТД-тарды АЖЖ жиіліктерде, мысалы, оншақты ГГц-ке дейінгі ауқымда пайдалануға мүмкіндік береді.

ТД-ның шектік жұмысшы жиілігін егер ТД-ты теріс кедергісі бар аспап ретінде пайдалансақ) анықтау үшін, төменде келтірілген балама схеманың (2.11-Сурет) параметрлері арқылы берілетін формулаларды білу керек:

 

,                       (1)

 

бұл шектік (критик.) жиілік, мұндағы rs-(омическое сопротивление потерь), ал зиянды тербелістердің резонанстық жиілігі келесі формуламен анықталады:

 

                                    (2)

 

Күшейткіш ТД үшін келесі шарттары орындалуы тиіс: f рез> fкр және f кр> f0, бұл жерде f0 жұмысшы жиілік.

Жоғарыда келтірілген формулалардағы Rn , Cn , rs (шығындардың Омдық потерь кедергісі) шамаларын, егер p-n өткелдің екі жағындағы аймақтардың легирлену дәрежесін өзгертіп тұратын болсақ, сәйкесті түрде диодтың жиіліктік сипаттамаларымен де басқаруға болады. Тәжірибе жүзінде келесі тәуелділікті тапқан: легирлену дәрежесінің өсуімен ТД-нің жиіліктік шегі өседі.

ТД технологиясы туралы бірнеше сөз; ТД-тың жиіліктік қатынастары диодтардың құрылымдық  безендірілуіне және жасалу технологиясына да, шектеулер қояды:

Корпустық индуктивтігі (Lқорп) шамасын аз ғана ету үшін, ШӨ кристалының бетіндегі балқытылған металл тамшысына электр түйіспені металдан жасаған мембрана, таспа – жапырақ немесе тілімше көмегімен орындайды. Міне, осылай істегенде Lқоры~10-10 Гн болып шығады. Әдетте ТД металлокерамикалық корпус ішінде жасалады.

ТД-ның қолданылуы:

АЖЖ ауқымындағы күшейткіштер мен генераторлардың схемаларында;

тез әрекетті айырып-қосатын құрылғыларда;

Екілік кодты жады құрылғыларында ж.т.т.

 

2. Базалық жартылай өткізгішті құралдар. Шала өткізгіш диодтар (ШӨД)

 

Диод дегеніміз – бір электр өтпелі және екі шықпасы болатын шала өткізгіш электр түрлендіргіш аспап. 2.1- суретте схема түрінде көрсетілген.

          

2.1 сурет “Б” база мен “Э” эмиттер “n” және “р” аймақтарымен Омдық түйісуді  қамтамасыздандыратынымен БЭ (базалық) және ЭЭ (эмиттерлік) электродтар көмегімен, металдан жасалған шықпаларға жалғанады да, олардың арқасында (көмегімен) диод сыртқы тізбекке қосылады.

Атқаратын міндеті мен пайдалануына байланысты (қарай) диодтар түзеткіш, стабилитрондар, варикаптар, импульстік диодтар және т.б. болып бөлінеді.

Шала өткізгіш классификациялық параметрлерімен анықталады.        

     Диодтарды токты бір бағытта өткізетін шала өткізгіштер деп те анықтама беруге болады. Диод шықпаларын «А» - анод және «К» - катод деп атайды.

2.2 Суретте – диодтың шартты белгіленуі

Егер Uак>0 оң таңбалы кернеу түсірілген болса, онда диод тік бағытта жұмыс істейді. Теріс таңбалы кернеу болғанда, Uак <0 диод жабық болады. Кері ток тік токтан әрдайым бірнеше есе кем болады

 

2.1 Диодтың вольт-амперлік сипаттамасы

 

n-р өтпелдің және шала өткізгіш диодтық теория жүзіндегі ВАС-лары

2.3 Сурет диодтың вольт амперлік сипаттамасы

 

Бұл сипаттамалардың бір-бірінен айырмашылығы бар екені Суреттен -  ақ көрініп тұр. Тік токтар аймағындағы өзгешеліктің болуын былайша түсінеміз: диод шықпаларына түсірілген сыртқы кернеудің бөлігі базаның көлемдік омдық кедергісінде (rб) құлайды, ал бұл rб кедергі базаның геометриялық өлшемдерімен және алынып отырған материалдық меншікті кедергісімен анықталады. Rб –ның шамасы 130 Ом аралығында жатыр. Ток шамасы милиамперден асқанда rб кедергіде құлайтын кернеу елеулі (айтарлықтай) мәніне жетеді, сонымен қатар кернеудің тағы бір бөлігі шықпалардың кедергілерінде құлайды. Міне, осылардың нәтижесінде n-p өткелге келіп түсетін кернеудің шамасы, диодтың сыртқы шықпаларына түсірілген кернеудің шамасы диодтық сыртқы шықпаларына  түсірілген кернеуден кем болады.Сипаттаманың нақты түрі теоретикалықтан төменірек жүреді және сызыққа жакындайды. Нақтылы ВАС тік кернеулер аймағында келесі түрде өрнектеледі:

 

 

                                                                     (3)

 

мұндағы U тік -шықпаларға келіп түсетін кернеу;

 

r – база мен диод электродтарының бірге алып есептегендегі кедергісі.

Диодқа кері кернеуді түсіріп, (Uкері) оның шамасын өсіргенде, диод тоғы І0 мәніне тең болып қала бермейді. Токтың өсу себебінің бірі теоретикалық ВАС өрнегін шығарғанда ескерілмеген өткелдегі заряд тасушылардың жылу әсерінен туады, яғни “термогенерация” болып табылады. Өткел арқылы жүретін кері токтың құрамасы, дәлірек айтқанда, өткел ішінде генерацияланатын (туатын) тасушылар санына тәуелдісі  “термогенерация тоғы” деп Ітг аталады. Кері кернеудің өсуімен өткел кеңейеді, сонымен қатар оның ішінде туатын заряд тасушылардың саны да артады, яғни Ітг тоғы да өседі.

 

Кері токтың өсу себебінің екіншісі, диод болып жасалынған кристалдың беттік өткізгіштігінің шектілігінде. Бұл токты ағып кету, орысша айтқанда «утечка» тоғы деп Іу, айтады. Қазіргі диодтарда оның шамасы термотоктан әрдайым кем болады. Сонымен, кері ток келесі түрде анықталады

 

                                                               (4)

 

2.2 Варикаптар

Варикап [ағылш. Varicap vari (able)-айнымалы және cap (acity)- сыйымдылық] – ШӨ диод. Бұл аспаптың сыйымдылығы (Сзар –электронды кемтіктік өткелдің сыйымдылығы) түсірілген электр кернеуге (ығысуға) сызықты емес түрде тәуелді болады. Бұл қасиеті варикапты сыйымдылығы электрмен басқарылатын элемент ретінде қолдануға мүмкіндік береді.

    Варикаптың негізгі сипаттамасы – вольт-фарадалық сипаттама (ВФС). ВФС деп тәуелділігі:

2.4 Сурет – Варикаптың вольт-фарадалық сипаттамасы (ВФС-сы)

 

Варикаптың негізгі параметрлері:

СВ –берілген кері кернеуде шықпалар арасында өлшенген сыйымдылық;

КCeiling –сыйымдылық бойынша асып түсу коэффициенті.

Бұл коэффициент (КС) СВ=f(Uкері) тәуелділікті бағалау үшін пайдаланылады да, кері кернеудің берілген екі мәндеріндегі варикап сыйымдылықтарының (CB1 мен СВ2) қатынастарына тең болады (КС=2…20).

Варикап параметрлерінің температураға тәуелділігі сыйымдылықтың температуралық  коэффициентімен сипатталады:

СВТК=∆СВ/(СВ∆Т),

бұл жерде ∆СВВ –қоршаған ортаның ∆Т температураға өзгергендегі варикап сыйымдылығының салыстырмалы өзгеруі.

Сонымен, варикап ретінде кері тұрақты ығысу кезінде, тек тосқауылдық сыйымдылық (Стосқ зар) пайда болатын ШӨ диодтар пайдаланылады.

Варикаптар Ge, Si, және GaAs негізінде жасалады. Жоғарыда айтылып кеткен негізгі параметрлер секілді қосымша тағы да екі параметрлер туралы білу керек:

С-номинал (бастапқы) сыйымдылық;

Q-номинал (бастапқы) сапалылық.

Варикаптың номинал сыйымдылығын әдетте кері кернеудің минимал шамасында өлшейді (Umin ~ –1B–6В шамалар аралығында); оның шамасы ШӨ-материалымен (оның ішіндегі қоспалар концентрациясының деңгейімен), p-n-өткелдің ауданымен анықталады да, пФ бөлігінен бастап жүздеген пФ шамасын құрады.

Сапалылықты (сигнал жиілігіндегі варикаптың реактивті кедергісінің сыйымдылығының немесе кері кернеуінің берілген мәніндегі шығындар кедергісіне қатынасы) әдетте сыйымдылықты өлшегендегі кері кернеулер мәндерінде өлшейді.

Варикаптар жоғары және аса жоғары жиіліктер (f > 1 МГц) ауқымында жұмыс істейді. Бұл ауқымдағы сапалылық келесі формуламен табылады:

Qжж =1/2fCr;

мұндағы r –диодтың тізбекті (С-сыйымдылыққа қатысты) кедергісі. Бұл кедергіге кіретіндер:

ШӨ көлеміндегі шығындар кедергісі;

Түйіспелер кедергісі және құралым элементтерінің кедергісі.

ЖЖ және АЖЖ ауқымында пайдаланылатын варикаптарды кейде варакторлар деп те атайды.

80 жылдары келесі жетістіктер болған:

Сыйымдылық С=10 пФ шамасында f=50 МГц жиілікте Qжж ≥ 500.

 

 

PS       Асып түсу коэффициенті (қосымша информация)

 

Жұмысшы, кернеулер ауқымында Umin –шамасынан бастап Umax –шамасына дейінгі (Umax абс. шамасы бойынша 200 В-ке жетуі мүмкін) варикап сыйымдылығының өзгеру шамасын анықтауға мүмкіндік береді. Жоғарыда айтылып кеткендей, Кс –мәндері 2-20 болады. Егер, жатық ауысу мен күрт ауысу әдетте Кс ≤ 4 шамасыда болса, p-n өткелдер аса күрт болған жағдайда, Кс –шамасы кеңірек шектерде өзгере алады.

 

2.3 Жоғарғы жиілікті диодтар (ЖЖД)

 

Өткен жолы(сабақтарда) қарастырылған түзеткіш диодтар килогерцтен аспайтын кернеулер түсірілетін схемаларда қолданылатынын білдік. Соңғы уақытта қолданылап жүрген Шотки тосқауылы бар түзеткіш диодтар жүздеген КГц пен бірнеше МГц жиіліктер аралығында жұмыс істейді. Сонда да бірқатар құрылғыларда жұмыс жиілігі 110-шақты ГГц аралығында жұмыс істей алатын шала өткізгіш диодтар керек болады. Мұндай диодтарды -  “жоғарғы жиілікті” деп атайды.

Кез келген шала өткізгіш диодты келесі физикалық балама (эквивалентті) схема арқылы қарастыруға болады:

Мұнда С0, R0 – жұмыс нүктесіндегі п– р өткелдің сыйымдылығы мен кедергісі;

r –  негізінен диод базасымен анықталатын кедергі,

Lш– диод жоғарғы жиіліктерде жұмыс істегенде ескеруге тура келетін шықпалардың индуктивтігі.

 

Схемаданың талдануы (анализі) шала өткізгіш диодтың жиілік диапазонын кеңейту үшін өткелдің сыйымдылығын, яғни оның ауданын, r – кедергіні және Lш – шықпалар индуктитігін кеміту керек.

ЖЖД – конструкциясы, яғни жасалауы нүктелік болады. Әдетте метал инені шала өткізгіш кристалмен түйістіріп, n – р өткелін жасайды. Түйісу ауданы 50 мкм2 кем болады, өткелдің сыйымдылығы өте кішкентай болады. Бұрын қарастырылған диодтармен салыстырғанда бұл “нүктелік диодтар” үшін болымды кері кернеу  шамасы кіші болады. Ал, ВАС – ның ерекшелігі келесі:

 а) кері тармағындағы горизонталь (көлденең) бөлігі жоқ деуге болады;

 б) тесіп өту тәртібіне көшетін жатық (плавный) өткел де жоққа жақын. 

 

 

 

 

 

 

 

3. Биполярлық транзистордың құрылысы мен жұмыс істеу қағидасы

 

Биполярлы транзистор дегеніміз шала өткізгіш монокристалдың ішінде кезектесіп (алмасып) тұратын өткізгіштігі үш аймақ болатын рпр немесе прп құрылым. (3.1-а, Суретті қара).

 

3.1 Сурет Биполярлық транзистордың құрылысы а)

Ортасындағы аймақты “Б”база деп, ал шеткі аймақтарды “Э” эмиттер және “К” коллектор деп атайды. Эмиттер, коллектор және база аймақтары транзисторды электр тізбегіне қосуға мүмкіндік беретін шықпалармен жабдықталған (қамдалған).

Эмиттер мен база құратын өткелді эмиттерлік (ЭӨ) өткел деп, ал коллектор мен база құратын өткелді коллекторлық (КӨ) деп атайды. Транзистор өткелдерінің әрқайсысына тік немесе кері ығысу беріле алады. ЭӨ-ге тік ығысу түскенде эмиттер ішінен базаға оған негізгі емес болатын тасымалдаушылар (тасушылар) инжекцияланады, ал КӨ-ге кері кернеу түсіп тұрғанда база аймағы арқылы өтіп келіп тұрған тасушылардың экстракциясы жүреді. БТ- де эмиттердің ішіндегі қоспалардың үйірленуі (концентрациясы) базаның ішіндегісінен бірнеше рет (порядок) жоғары болады, яғни ЭӨ- біржақты. Коллектордың ішіндегі қоспалардың үйірленуі эмиттердегідей (балқытылумен әзірленген транзистор) немесе шамамен алғанда базадағыдай (планарлық транзистор) болуы мүмкін. Әдетте транзисторда КӨ-нің ауданы ЭӨ-нің ауданынан үлкен, сондықтан бұл жағдай база ішіне инжекцияланған тасушылардың көбін жинап алуға мүмкіндік береді. База аймағында заряд тасушылардың өту механизміне тәуелді дрейфтік және дрейфсіздік транзисторларды айырып танайды.

Дрейфсіздік транзисторларда базалық аймақ арқылы негізгі емес заряд тасушылардың тасымалдануы диффузиямен байланысты. Дрейфтік транзисторларда қоспаларды арнайы үлестіру жолымен база аймағында ішкі электр өрісі тудырылып, негізгі емес заряд тасушылардың база арқылы тасымалдануы әрі дрейф арқылы (жәрдемімен), әрі диффузия жәрдемімен іске асырылады. Қазіргі транзисторлардың көбі дрейфтік. Бірақ жұмыс істеу қағидаларын түсіндіруді оңайлату (жеңілдету) үшін біз дрейфсіздік транзисторларды қарастырамыз.

Биполярлық транзисторлар үшін 3.2, бСуретте келтірілген шартты белгілерін қолдану керек.

 

 

3.2 Сурет б)

Транзистордың n-р-n түрінің жұмыс істеу қағидасын қарастырайық. Транзистор келесі тәртіптерде (режимдерде) қолданылуы мүмкін:

    а) n-р өткелдердің екеуі де кері бағытта ығысқан (тоқтату (отсечка) тәртібі);

    ә) өткелдердің екеуі де тік бағытта ығысқан (қанығу тәртібі);

б) эмиттерлік өткел тік бағытта, ал коллекторлық кері бағытта ығысқан (активті тәртіп – белсенді тәртіп);

Белсенді тәртіпте жұмыс істегенде (2.2- Сурет) ЭӨ-нің потенциалдық тосқауылы.

3.3 Сурет Биполярлық транзистордың жұмыс істеу қағидасы

 мәніне дейін төмендейді, ал кедейленген қабаттың ені кемиді; КӨ-нің потенциалдық тосқауылы  шамасына өседі, ал кедейленген қабаттың ені артады. Эмиттерлік өткел арқылы база ішіне электрондардың инжекциясы іске асады. Инжекцияның деңгейі инжекцияланған электрондардың үйірленуінің олардың (е– дың) база ішіндегі тепе-теңдік үйірленуіне қатынасымен анықталады.

Базаның Wб – деген ені транзисторларда Wб << Ln болатындай етіп таңдап алынады. Мұндағы Ln дегеніміз диффузиялық ұзындық

Ln.                                                                            (5)

 

мұндағы Dn– диффузия еселеуіші (коэффициенті);

– өмір сүру уақыты.

 

Сондықтан эмиттермен инжекцияланған е-дардың басым көпшілігі базаның кемтіктерімен рекомбинациялануға (жойылуға) үлгермей коллекторға жетеді. Қазіргі кремнийден жасалған транзисторлардың базасының ені Wб—1мкм, ал электронның кремнийдің ішіндегі диффузиялық ұзындығы 5-10 мкм. КӨ-ні маңында электрондар оның үдеткіш өрісіне түседі де, коллектордың ішіне тартылады. Дрейфсіздік транзисторларда база электр бейтарап болуы тиісті. Электрондар мен кемтіктердің жарым-жартылай рекомбинациялану себебінен базаның бейтараптылығы бұзылады. Оны қайта орнату үшін, яғни кемтіктердің оң таңбалы зарядын толықтыру үшін, орныққан жұмыс тәртібінде Uэб кернеу көзінен база ішіне кемтіктердің керекті саны енгізіледі. Бұл соңғы кемтіктер базаның рекомбинациялық тоғын береді. Физикалық  тұрғыдан бұл артық е-дардың Uэб көзіне қайта ағуына сәйкесті. Сонымен қатар, база тізбегі бойынша І кбо – тоғы (КӨ-нің кері тоғы) ағады.

КӨ арқылы ағатын Ік тоғы ЭӨ-нің тоғына тәуелді.

 База тоғы:

Ібэ– Ік                                                                                                                                               (6)

 

 

 

 

3.1Эмиттер тоғының беріліс еселеуіші (коэффициенті)

 

Эмиттер тоғы қатаң айтқанның өзінде де, ЭӨ бір жақты болғанның өзінде тек е-дардың қозғалысымен ғана анықталмай, кемтіктердің де қозғалысымен анықталады; ал коллектор тоғы (Іэ-ге тәуелді болатын) тек е – мен ғана анықталады.Сондықтан эмиттердің тиімділігі (эффективтілігі) деген түсінікті енгізуге болады

                                                                            (7)

Мұнда Іэп  және  Іэр  - эмиттер тоғының құраушысы ретінде кіретін электрондардың және кемтіктік бөліктері

 

Іээпэр.                                                                            (8)

 

 

База арқылы тасушыларды тасымалдау еселеуі дегеніміз келесі қатынас болып табылады:

 

                                                             (9)

 

Эмиттердің тоғын беру статикалық еселеуіші деп - көбейтіні айтады.

Өндірістің шығаратын транзисторлары үшін бұл – деген еселеуіш 0,9-0,999 шамасына жетеді.

Қатаң математикалық қатынастарға сүйенбей-ақ Ік мен  Uкб –ні, Іэ мен  Uэб-ні [кейде   Ік=f(Uкб) және Іэ=f(Uэб)] байланыстыратын ВАС-тың жүрісін түсіндірейік.

Ік=f(Uкб)- коллекторлық ВАС деп, ал, Іэ=f(Uэб)- эмиттерлік ВАС деп аталады.

 

3.4Сурет коллекторлық және волт амперлік сипаттамасы

     Эмиттерлік тоқ нөлге тең болғанда (Іэ=0), коллекторлық тізбек бойымен КӨ-нің кері тоғы Ікб бұл тоқ негізгі емес тасушылардың қозғалысынан туады. Бұл тоқ диодтағы кері ығысу бергендегі кері тоқтың Uкб- ға тәуелділігі сияқты заңдылықты береді. Іэ=/0, яғни нөлге тең болмағанда база ішіне электрондардың ағыны инжекцияланады да, олардың (электрондың) көбі коллекторға жетеді. Эмиттер тоғымен қамтамасыздандырылатын коллекторлық тоқ, Іэ-ге тең болады  екен. Коллектор кернеуінің нөл мәнінен кері кернеудің жеткілікті үлкен мәндеріне дейін өзгеруі коллектор тоғына тек сәл дәрежеде әсер етеді, себебі КӨ оған жеткен е-ның бәрін Uкб кернеуінің шамасына тәуелсіз жинап алады. Uкб-нің өсуімен Ік- ның сәл өсуінің бақылануы КӨ-нің Uкб-нің өсуімен, енінің кеңейуімен, ал база енінің кішірейуімен және  еселеуішінің сәл үлкеюімен түсіндіріледі.

    Сонымен, коллектордың толық тоғы

                                                       (10)

 

ал база тоғы                                                                       (11)

 

Uкб-нің шамасы үлкен болғанда, коллектордың тоғы КӨ-нің көшкіндік тесіп өтілу себебінен күрт өседі. КӨ-ге  тік ығысу бергенде 2.3 Суреттегі ВАС –тан көріп отырғанымыздай Ік нөлге дейін кемиді де, ал одан кейін өзінің бағытын өзгертеді. Бұл жағдай КӨ-ге тік ығысу түсірілгенде оның электр өрісі база ішінен коллекторға қозғалып келе жатқан е- дар үшін тежеуші болатындығынан және КӨ-де тік тоқтың (Іэ-нің әсерінен пайда болатын) пайда болуымен түсіндіріледі. 4.3, а Суреттегі сипаттамалар ВАС-тар үшін ширекте (квадратта) салынған, себебі коллекторлық кернеу кері болып тұр, ал коллекторлық тоқ негізгі емес заряд тасушыларымен іске асырылады.

Uкб =0 кезіндегі (жағдайындағы) эмиттерлік. ВАС диодтың ВАС-ына жақын; Uкб>0 болғанда сипаттама жоғары ығысады, себебі КӨ кеңейеді де, базаның ені кеңейеді. Бұл жағдайда Uкб =0 болғандағы сипаттаманың Uкб* кернеуінің мәніне сәйкесті жерін қарастырсақ, базадағы е- лердің үйірленуінің драдиенті өседі. Ал, бұл өз кезегінде эмиттер тоғының өсуімен қабаттас болады.

Әдетте коллекторлық эмиттермен салыстырғанда кемірек қосындылтындықтан және КӨ-нің ауданы ЭӨ-нің ауданынан үлкен болатындықтан, транзистор беттескелі (симметриялы) прибор емес. Бірақ тәсілге қосқанда эмиттер мен коллекторды орындарымен ауыстырып қосуға болады. Транзистордың тәсілге мұндай жалғануы инвестрлік, яғни терістелген деп аталады. Эмиттер тоғының беріліс еселеуіші   (терістеп қосқанда коллектор эмиттер болды), тік жалғағандағы еселеуішінен кем болады. Бұл Ік-ның е-дық құрамының кемуімен және ауданы кем болатын коллектордың е-дарды жинауының нашарлануымен байланысты.

 

 

 

3.2 Дәріптелген (идеализированный) транзистор және оның ВАС-ы.(Эберс-Моллдың математикалық нобайы)

 

Есептеулер үшін оның ішінде өз тәсілдендірілген есептеулер үшін де нақты транзисторды оның дәріптелген балама тәсілімен ауыстырып, орнына алуға болады.

 

3.5Сурет – ЭберсМоллдың математикалық нобайы

Бұл тәсімді транзистор ЭӨ мен ЭК-ларды еліктетілетін (имитациялайтын) екі шала өткізгіш ретінде және оларға қатарлас қосылған  І2 менІ1 тоқ көздерімен беріліп отыр. Бұл тоқ көздері нақты транзисторлардағы өткелдердің өзара әрекеттесуін (байланысын) ескеруге мүмкіндік береді. Бұл балама (парапарлық) тәсімде базаның кедергісін елемеуге және ЭӨ мен КӨ өткелдерінде кернеу өзгергенде база арқылы заряд тасушылардың өту шарттары өзгермейді деп алуға келісілген. Мұндай жеңілдіктер Іэ, Ік және  Іб транзистор тоқтарының эмиттерлік Uэб мен коллекторлық Uкб кернеулерімен байланысын беретін өрнектерді оңай табуға мүмкіндік береді. Еске салайық, егер ЭӨ тік бағытта ығысқан болса және ол арқылы І1- ток өтіп жатса, онда база ішіндегі заряд тасушылардың белгілі бір бөлігінің жойылу (рекомбинациялану) себебінен КӨ-нің ішіндегі ток кеміген болады. Бұл жағдай балама тәсімде І1- ток генераторымен ескерілген. Осыған ұқсас терістеп (инверсті) қосқан жағдайда эмиттер ролін атқаратын өткелден берілуі де генераторымен ескерілген.

Тікелей 3.5 Суреттен табатынымыз келесі

                                                                     (12)

Өткелдің ВАС-ын келесі түрде табылатынын,  екенін ескеріп, әрбір п-р- өткел үшін былай жаза аламыз

 

                                                                           (13)

                                                                               (14)

Бұндағы І/эо пен І/ко – ЭӨ мен КӨ өткелдеріне кері кернеу берілгендегі жылулық тоқтар. І/эо – жылулық тоғын өлшеуді

Uкб=0 болғанда жүргізеді, ал І/ко -ті өлшегенде  Uкб=0

                                                                               (15)

3.6 Сурет – а)ОБ қосылған транзистордың вольтамперлік сипаттамалары

б) ОЭ қосылған транзистордың вольтамперлік сипаттамалары

Транзистордың немқұрайлы (формалды) орнын баса тұру тәсілдері.

3.7 Сурет – Биполярлық транзистордың қосылу схемалары

 

БПТ – нің қиылу режиміндегі динамикалық параметрлері ( қарастырып отырған модельде ) екі сызықты емес тосқауылдық сыйымдылықтармен анықталады ( 3.7-Суретті қара). Бұл сыйымдылықтар сәйкесті р-n-өткелдердегі кернеу өсімшелерінің пайда болу себебінен жабу қабатының аймағында жиналған қозғалмайтын зарядтардың өсімшесін модельдейді:

;         ;                                (16)

 

Мұнда  және  - эмиттерлік пен коллекторлық өткелдердің   болған жағдайдағы сыйымдылықтардың шамасы, ал және -К-Б ( коллектор база ) және Э-Б ( эмиттер – база ) өткелдердің ТПА-сы

( түйіндік потенциалдар айырымы ); жақша сыртындағы "n" – көрсеткіштің мәні диффузиялық БПТ- лер үшін  n=1/3 деп алынады.

        Келешекте эмиттерлік және коллекторық өткелдер сыйымдылықтарының шамасын паспорттық деректер ретінде ( әрине бегілі бір қателікпен ) пайдаланатын боламыз.

        БПТ-нің белсенді режимдегі жиіліктік қасиеттері негізінен база ішіндегі қозғалмалы заряд тасушылардың таралу процесінің инерциялығымен және коллекторлық ауысудағы ( өткелдегі ) тосқауылдық сыйымдылықтың (  ) ықпалымен анықталады.

       Инженерлік есептеулерде ток бойынша беріліс коэффицентінің ( )  жиіліктік сипаттамасы төменгі жиіліктік  ( ТЖ ) сүзгінің ( I-ші реттік ) сипаттамасымен беріле алады.

                                                   (17)

Мұндағы  - қиықтың дөңгелектік жиілігі. Бұл - жиілікте беріліс коэфицентінің абсолют мәні  |β| - кемиді ( -есеге ). Уақыттық аймақта бұл тәуелділік келесі түрде болады

                                           (18)

Мұндағы -  тоқ бойынша беріліс коэффициентінің уақыт тұрақтысы. 

     БПТ-нің динамикалық параметрлерін қарастырғанда күшейтудің шекаралық жиілігі ( басқаша айтқанда «бірлік күшейту жиілігі» ) деген түсінік енгізіледі. Бұл жиілікте күшейту коэффициентінің модулі «1ге» дейін кемиді. Тәжірибе жүзінде есептегенде келесі қатынасты пайдаланады:

                                                     (19)

(тағы интегралдық схемалардағы БПТ-лермен жұмыс істейміз)  заряд тасушылардың  тасымалдау процестерінің инерциялығымен;

- өткелдердің нақты электр сыиымдылықтарының ( өткелдер тура және кері ығысқанда пайда болатын ) бар болуымен және ішкі кедергілер мәндерінің ақырғы болуымен;

- зарядтардың жиналу және таралу эффектерімен ( кілттік схемаларды талдағанда әсіресе маңызды ).

     Инерциялық себептердің талдануын жеңілдету үшін әдетте, транзистор ішіндегі инерциялық процестер көздерінің үлкенірек бөлігін эквивалентті сыиымдылықтарға ( жалпы жағдайда кернеу мен жиілікке тәуелді болатын ) келтіреді де, түрлі режимдерде жұмыс істей алатын транзистордың эквивалентті схемасын құруға мүмкіндік болады.

 

 

 

3.8 Сурет – БПТ-нің айнымалы токтағы эквиваленттік схема

а) белсенді режим

б) қиылу режимі

                                                    (20)

 

С*к  және С*Э – кері ығысқан p-n - өткелдердің сыйымдылықтары.

-     белсенді режимдегі жұмысшы нүктенің орны бұзылуы мүмкін;

-     база тізбектеріндегі резисторлар шамалары (мәндері) үлкен схемаларда температураны жоғарылатқанда БПТ-нің қиылу режимінен шығуының бұзылуы мүмкін;

-     температура өзгергенді қию кернеуінде және қаныққан БПТ-нің коллекторындағы қалдық кернеудің шамасы да өзгереді. Бірақ бұл өзгерулер айтарлықтай емес, сондықтан тәжірибе жүзінде ескермеуге де болады.

 

3.3 Транзисторлардың динамикалық параметрлері

 

Динамикалық параметрлер деп келесі параметрлерді түсінеді. Бұл параметрлер схеманың басқа компоненттерінің (құрауыштарының) осындай параметрлерімен бірге сызықты схеманың АЖС-ының түрін анықтайтын немесе кілттік схемалардың өтпелі процестерін сипаттайтын болып табылады.

Белсенді режимде жұмыс істейтін схемалар үшін көбінесе ток бойынша бірлік коэффициентінің жиіліктік сипаттамасын қарастырады. (a-ны немесе b-ны). Бұл коэффициенттердің жиіліктік сипаттамасы келесі жағдайлармен анықталады:

- транзисторлық құрастылымдағы (біз) дық өзгеруі ток бойынша беріліс коэффициентінің өзгеруі. Міне осы, жоғарыда айтылған параметрлердің арасында температураға ең күшті тәуелді болатыны – кері токтар:

                           (21)

Мұнда t*- екі еселеу температурасы, яғни температура айырымының белгілі бір мәнінде кері жылулық тоқтар екі еселенеді (тәжірибе жүзінде жиі келесі мәнді қолданады:  t*=10оС).

    Әдетте kt - ден белгіленетін температуралық кофэфициентті (жалпы алғанда кез келген температураға тәуелді «А» шаманың) былай түсінеді:  - «1 оС-ға есептелген коэффициентті түсінеді.

    UБЭ-нің температуралық коэффициентінің мөлшерлік мәні жуықтап алғанда  деп бағалағанда (ескерту: температураның өсуі UБЭ-шамасының кемуіне әкеліп соғады).

Мүмкін болатын келесі бұзылуларға да көңіл аудару керек: Әдетте шамасы бойынша үлкен (оншақты, жүз шақты килоОм).

Шығыс кедергі:

                                (22)

 

БПТ-нің ОК схемасындағы өте кішкентай (өте аз шама).

Сонымен келесі жағдайды атап кетуге болады. БПТ-нің ОК-схемасы келесі параметрлерді алуға мүмкіндік береді:

-     Кернеу бойынша өте тұрақты күшейту коэффициентін (себебі b-мәні өте үлкен болғанда беріліс коэфицентінің шамасы b-ның мәніне өте аз теуелді болады);

-     Ток бойынша күшейту коэфицентін жоғарғы дәрежеде етіп алуға болады.

 

3.4 БПТ-нің статикалық сипаттамаларына температураның әсері

   

БПТ-нің барлық сипаттамаларына температураның өзгеруі әртүрлі дәрежеде ықпал етеді, бірақ келесі БПТ-нің статикалық сипаттамаларына нақты анықтаушы ықпал жасайтындар келесілер кері тоқтардың өзгеруі, jт- деп бейнеленген температуралық потенциалдық тәжірибе   жүзінде БПТ-нің тоқтары үшін барлық қатынастар және оның өткелдеріндегі потенциялдар және оның өткелдеріндегі потенциялдар үшін барлық қатынастар ( ОЭ схемасына тән болатын ) ОК-схемасы үшін де қолданыла алады.

Тағы бір ескерілетін жағдай – ол ОК-схемасы үшін қанығу режимі болмайды, себебі коллектор потенциялы ешқандай да база потенциялынан төмен бола алмайды.

БПТ-нің  ОК-схемасы үшін қанығу режиміндегі параметрлер ОЭ- схемасындағы қиылу режиміндегі параметрлеріне ұқсас.

ОЭ-схемасындағы кернеу бойынша күшейту

                                            (23)

Бұл соңғы өрнектен  көретініміз: β-шамасы үлкен болғанда - шамасы « 1ге» өте жақын.

     ОЭ-схемасындағы ток бойынша күшейту

                                                                                     (24)

P.S. Бұл соңғы өрнектен - шамасы өте үлкен

 

 Кіріс кедергіні талдағанда 3.6 Суреттегі  – эмитерлік резистор ток бойынша тізбекті КБ ( кері байланыс ) ролін атқарады да , ОЭ-схемадағы кіріс кедергі келісіге тең болады.

 

3.4            Ортақ коллектормен ( ОК ) БПТ-нің қосылу схемасы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


а)                                                         б)

 

3.9 Сурет БПТ-нің ОК-схемасымен қосу.

а) қосудың негізгі схемасы;

б) қосудың балама схемасы -динамикалық кіріс кедергісі; 

- коллектордың  басқарылатын ток көзі;

 - кіріс тізбек жағынан коллекторлық токты басқарудың тіктілігі.

Бұл схемада басқарушы кернеу Б-Э-учаскесіне түсіріледі де, ол шығыс сигнал эмиттерлік тізбекке қосылған жүктеме резистордан алынады ( ескере кетейік! Коллектордың потенциялы бекітілген ).

Егер ОЭ-схемасында = 0 деп алатын болсақ БПТ- ні ОК-схемасымен қосуды ОЭ-схемадағы қосудың жеке жағдайы ретінде қарастыруға болады. Міне осы соңғы шарт орындалса. ОЭ-схема «терең» кері байланыспен қамтылған болып шығады.

Ал енді БПТ-нің ОБ-схемасындағы коллекторлық сипаттамасын келтірейік:                                                                   

\

4Сурет ОБ мен қосылған транзистордың шығыс сипаттамаларының үйірлері

Ескертіп кетейік!  Бұл схемадағы БПТ- нің қанығуы тек  болғанда ғана іске асырылады, ал бұл жағдайға егер коретендіру көзінің полярлығы бекітілген болса, жете алмаймыз!

Дай жиі кездеседі), онда  және оның  шамасы әдетте жеткілікті үлкен ( 100 және 1000 ) болуы мүмкін.

Ток бойынша күшейту

                                                          (25)

әдетте «1»-ден кем.

 

Кіріс кедергі

                                                           (26)

Бұл схемадағы кіріс кедергі БПТ-нің ОЭ схемасындағы -кедергісінен β есе кем.

Шығыс кедергі

                                                           (27)

Бұл схемадағы шығыс кедергі БПТ-нің ОЭ- схемасындағы шығыс кедергісінің мәніне тең.

    Коллектордағы төбелік кернеудің шамасы коллекторлық өткелдің (КӨ-нің) көшкіндік тесіп өтілуімен анықталып шектеледі; коллектордың төбелік мүмкін бола алатын тоғы коллектормен оның шықпасының арасындағы Омдық түйсінінің жанып кету қауіптілігімен шектеледі; коллекторда шашыратылатын қуаттың төбелік мүмкін бола алатын шамасы КӨ-нің төбелік температурасымен Ттөб. өткел және айналасындағы ортаның температурасымен Торта анықталады:

                                                                                          (30)

     Мұндағы Rт – транзистордың жылулық кедергісі деп аталатын тұрақты шама. Ол КӨ -ден транзистор қабына (тысына) джоульдік жылудың берілуін анықтайды, [С/Вт].

Кремнийлік транзисторлардың Т өткел.мах  шамасы 200С мәніне дейін жете алады.

     Коллекторда шашырайтын төбелік мүмкін болатын қуаттың қисық сызығы келесі беркенің көмегімен салынады

                                                                            (31)

Мүмкін болатын Іок – тоқтың және Uокб – кернеудің шамалары бұл қисық сызықтан төмен жатады. Коллектордың тоғы мен оның кернеуінің шамалары төбелік мәндерінен 70% алып түсетін болса, жұмыс тәртібі (транзистордың) қауіпті аралықта болады.

     Транзисторлардың екі тесіп өту кернеулері болады. Uкбо – деген кернеуді коллектор мен база шықпаларының арасында белгілі бір берілген І кбо – тоғы мен І э – эмиттер тоғының нөл болған жағдайында І э= 0 өлшейді. Ал U кэо – деген кернеу коллектор мен эмиттер шықпаларының арасында белгілі бір берілген элиттер тоғы (І э= const)  мен база тоғының нөлге тең кезінде (І б= 0) өлшейді. U кэо >> U кбо, яғни бұл теңсіздік жиі орындалуы мүмкін.    Транзистордың көшкіндік тесілуінің себебі ретінде база мен коллектор тізбектеріне жалғанған Rб мен Rк кедергілері де болуы мүмкін. Егер Rк шамасы кішкентай болса, онда басталған көшкіндік тесіп өту қайтымсыз жылулық тесілуге көшуі мүмкін. Егер Rб кедергіні өсірсек тесілудің кернеуі кемиді. Сондықтан аса қуатты транзисторлар үшін мүмкін бола алатын UкэRмах – деген кернеудің шамасын белгілі бір Rбмах  кедергінің шамасынан кем болатын база кедергісінің (Rб) мәні үшін көрсетіледі.

     Сонымен қатар, транзистордың анықтамалық деректерінде ұсынылатын немесе нақтылы деп аталатын жұмыс тәртібі үшін шаққылық (дифференциялдық) һ-параметрлер келтіріледі. Мысалы, төменгі қуатты транзисторлар үшін мұндай тәртіптер ретінде келесі тәртіптер (режимдер) болуы мүмкін:

     U бкэ=5В,  Іок=1мА немесе  Uокэ=5В,  Іок=5мА.

    Егер бұл нүктедегі токтармен кернеулер ұсынылатын (нақтылы) мәндерінен өзгеше болатын болса, онда шаққылық параметрлер (дәлірек айтқанда олардың төменгі жиіліктегі мәндері) (4.29)- кейіптемелер бойынша қайтадан есептеледі, немесе ВАС-тар бойынша аныталады.

 

5 Өрістік транзисторлар

    Биополярлық транзистордың кемшілігі – ол кіріс кедергісінің төмендігінде, ал оны жоғарлату үшін жеткілікті күрделі схеманың керек болуы.

     БПТ дегеніміз – бұл токпен басқарылатын аспап, ал сонымен бірге шала өткізгіш материалдың өткізгіштігін электр өрісінің көмегімен де басқаруға болады. Міне, егер транзистордың өткізгіштігі электр өрісімен модуляцияланса, бұл транзистор өрістік транзистор (ӨТ) деп аталады.

     ӨТ-нің ең қарапайымы 1.23 а – суретте көрсетілген.       

                 а)                                                      б)

                             5.1 – Сурет. Өрістік транзистор (ӨТ):

                                  а – құралым және ығысу схемасы;

                                  б – құйма (сток) сипаттамалары.

    Бұл транзистордың үш шықпалары бар ( құйма, бастау және бекітпе). Кремний (Si) кристалынан (n – типті ) жасалған. Бұл кристал ішінде диффузия көмегімен р – типті аймақ жасалған, яғни p-n-өткелі бар.

      Құйма бастауға қатысты оң таңбалы ығысқан, сондықтан n – қабатта арна пайда болады да, оның бойымен құймадан (стоктан) бастауға (истокқа) қарай ток (Id ден белгіленген) ағады. Бірақ, егер бекітпеге теріс таңбалы потенциал түсірілсе, p-n - өткелдің аймағында кедейленген қабат пайда болады да, бұл жағдай арна өткізгіштігінің нашарлауына келтіріп Id – токтың кемуіне әкеліп соғады.

Яғни, бекітпеге (затворға) түсірілген кернеу арна өткізгіштігін басқарады; теріс кернеу мәнінің шамасы неғұрлым үлкен болып өссе, соғұрлым құймадан (стоктан) бастауға (истокқа) ағатын ток кемиді. Бекітпе–арна өткелі әрдайым кері бағытта ығысқан, және бұл ауысу (өткел) арқылы шамасы сәл ғана бекітпе тоғы ағады, бірақ оны әдетте елемейді.

    Егер бекітпеге түсірілген теріс таңбалы кернеу шамасын арттырсақ; Id - ток ағуын тоқтатуы да мүмкін. Міне, осыған жеткізетін бекітпе кернеуі қиылу кернеуі немесе арнаның қабысу (жабылып қалу) кернеуі деп аталады. Оның әдеттегі мәні (шамасы) ~ 5 В. Жоғарыдағы 1.23 б Суретте ӨТ –нің әдеттегі (типті) шығыс сипаттамаларының (ВАС-тарының) тобы (үйірі) көрсетілген. Көп жағынан ӨТ электронды шамға ұқсайды, себебі бұл аспапта (яғни ӨТ) кернеумен электронды шам сияқты басқарылады. ӨТ – нің балама схемасы өте қарапайым. Бұл схемаға кіретіндер келесі:

кіріс кедергі және сыйымдылық;

ток генераторы және шығыс резистор.

                                5.2- Сурет. ӨТ-нің балама схемасы

Бұл балама схеманың құраушылары компоненті үшін әдеттегі шамалар келесі

R in = 1 000 МОм

C in = 30 п Ф

R out = 250 к Ом

g m   =  2 мА/В

 

Егер RL резисторының кедергісінің шамасы жарамды (қолайлы) болса,бұл жағдайда, нақты схемалардың бәріне арналған сияқты, толық кіріс кедергі C in  - конденсаторымен анықталады, ал кернеу бойынша күшейту коэффициенті g m * RL – ге тең.

Жоғарыда қарастырылған транзистор бекітпе ретінде p-n ауысуы бар n – арналы ӨТ деген аталымға иеленген. Бұл ӨТ кедейленген режімде жұмыс істейді. Режімнің осылай аталу себебі бекітпеге (затворға) түсірілген кернеу шамасын өзгерте отырып, арна өткізгіштігін кемітуге болады, яғни кедейленген қабатты тудыруға (жасауға) болады. Егер төсеніш ретінде р – типті кристалл алынса, бекітпе ретінде p-n- ауысуы бар р- арналы ӨТ-ні аламыз. Ол да жоғарыдағы қағида бойынша жұмыс істейді, бірақ кернеу көздерінің кері полярлықпен қосылған жағдайында. ӨТ-нің басқа бір түрі – ол бекітпесі оқшауланған ӨТ. Бұл транзистордың екінші аты – құрылымы металл – диэлектрик – шала өткізгіш ӨТ немесе МД ШӨ - транзистор (МОП - транзистор). Бұл транзисторда бекітпе арнадан оқшауланған.

Төмендегі 5.3 – Суретте МОП – транзистордың құрылымы көрсетілген.

                          

 

 

 

 

 

 

 

 

 


          5.4 – Сурет. Байыту режимінде жұмыс істейтін ӨТ-нің құрылымы

Диффузияның көмегімен р- типті төсеніш ішінде n- типті екі аймақтар (“қалталар”) қалыптастырылады. Бұл “қалталар” арасында кристалдың бетінде кремний тотығының (SiO) оқшаулау қабаты өсіріледі. Содан кейін бұл тотықтың бетінде  Al – қабатын тозаңдатады да, бұл металл қабатын бекітпе ретінде пайдаланады. Міне, осындай транзистордың 4-шықпасы болады. Егер төсеніш пен бекітпе тұйықталып қосылған болса, онда бастау (исток) мен құйма  (сток) арасында жүретін ток – ол ағып кету тоғы. Егер бекітпеге түсірілген потенциал базаға қатысты оң таңбалы болса, электрондар база бетіне тартылып, n-типті екі аймақтар арасындағы өткізгіштікті арттырады. Екі n-типті “қалталар” арасында ағатын құйма тоғын (тек сток) бекітпе-төсеніш кернеуінің (Uбт) көмегімен басқаруға болады. Бұл схеманың жұмыс істеу қағидасы бекітпедегі (затвордағы) кернеудің өзгеруі мен бастау мен құйма арасындағы арнаның өткізгіштігінің өзгеруіне негізделген, сондықтан осындай транзистордың аталымы “n” – арналы МОП – транзистор ( немесе екінші аты оқшауланған бекітпесі болатын транзистор), ал жұмыс істеу режімінің аты – “байыту” режімі. “Кедейленген” режімде жұмыс істейтін МОП – транзисторлар да бар. Осындай транзистор құралымы келесі беттегі 5.5 Суретте келтірілген.

    Мұндай транзисторлардың бастау және құйма аймақтары n-типті жұқа қабатпен қосылған. Бастау-құйма тоғын басқару үшін бекітпеге базаға қатысты теріс таңбалы кернеу түсіріледі (дәл осылай p-n-өткелі бар ӨТ-транзисторда істегенбіз). Міне, осындай транзисторды кедейлену режімінде жұмыс істейтін n-арналы МОП-транзистор деп атайды. Әрине қарастырылған екі режімдерде (байытылған және кедейленген) жұмыс істей алатын МОП-транзисторлардың р-арналары да бар.

                                   

          5.5 – Сурет. Кедейлену режимінде жұмыс істейтін ӨТ-нің құрылымы

                                                  

        5.6 – Сурет. Кедейлену және байыту режимінде жүмыс істейтін ӨТ-нің  

                                      құрылымы                                  

P.S. БПТ-мен ӨТ-ні салыстыратын болсақ, ӨТ-де шығыс тоқты басқару заряд тасушылардың диффузиясымен емес, (БПТ-дегідей) электр өрісінің әрекетімен орындалады. Яғни, идеал жағдайда басқару эффектке энергияның шығынысыз (кіріс тоқтың шамасы нөльге тең) қол жеткізуге болады. ӨТ-лердің екі үлкен тобы бар:

Басқарылатын p-n-өткелі болатын ӨТ-лер (Junction Field Effect Transistor – JFET); арнаның басқарушы кернеу көзінен оқшаулануы кері ығысқан p-n-өткелмен қамтамасыз етіледі;

МДП (МДШӨ) құрылымды ӨТ-лер (MOSFET, MISFET – Metal-Oxide (Onsulatur) – Semiconductor Field Effect Transistor); оқшауландыру кремнийдің қос тотығымен қамтамасыз етіледі (арнаны бекітпе электродынан оқшаулайды) Flash- карты

.

 

                       5.7 Сурет- Flash- картасы

 

 

6 Бір p-n-ауысуы бар транзистор

 

    Бір p-n-ауысуы бар транзистор немесе бір өткелді транзистор дегеніміз – бұл үш шықпалары болатын аспап. Оның құрылымы өткізгіштігі n-типті тілімнен (Si -кристаллынан) жасалады. Тілімнің екі шетіне түйіспелер 6.1 а Суретте көрсетілгендей бекітіледі. Эмиттер деп аталатын р-типті аймақ диффузия көмегімен тілімнің ортасында қалыптастырылған.

а)                         б)                                       в)

                         6.1 – Сурет. Бір өткелді транзистор:

                                        а – құрылымы;

                                      б – балама сүлба;

                             в – релаксациялық генератор

    Егер эмиттер тізбегі айырылған (ажыратылған) болса V1 деп белгіленген кернеудің мәні (шамасы) тілім бойымен кернеудің үлестірілуімен анықталады. Бұл үлестірілген кернеу V EO деп белгіленген (6.1 б – Сурет ). Егер V EВ1 кернеу V EO кернеуден асып түссе, яғни V EВ1 >V EO болса, онда тілім ішіне кемтіктердің инжекциясы басталады да, бұл жағдай өткізгіштіліктің өсуіне келтіреді. Осының нәтижесінде R B1 кедергі кемиді, ал бұл өз жағынан R B1 мен R B2 өткелде кернеу түсуінің пайда болуына себепші болады. Сонымен, үдей түсіп өсу эффекті басталады да, R B1 кедергі елеусіз аз шама болғанға дейін бұл эффект жүреді.

    Жоғарыда 6.1 в – Суретте бірөткелді  транзистор негізінде жиналған релаксациялық генератор көрсетілген. Бірөткелді транзисторлардағы генераторлар тиристорлық тұтандыру схемаларында кеңінен қолданыс тауып жүр.

    Шығыс сигналдарының формасына тәуелді генераторларды екі түрге бөледі:

гармоникалық тербелістер генераторы;

релаксациялық (импульстік) тербелістер генераторы.

     Гармоникалық тербелістер генераторы беретін сигналдық спектрінде бір немесе бірнеше гармоникалар болады. Релаксациялық (импульстік) генератордың шығысындағы тербелістер амплитудалары өлшеулесті болатын гармоникалардың кең спектрінен тұрады. Импульстік (релаксациялық) генераторлардың өздері де импульстердің периодты реттілік (тізбек) генераторы және импульстердің кодалық топ генераторы болып бөлінеді.

 

5 Кремнийден жасалған басқарылатын диод және тиристорлар тобы (үйірі)

Кейде “Si”-ден (кремнийден) жасалған басқарылатын диодты тиристор деп те атайды, ал “тиристор”  аталымы (термині) сондай-ақ электрондық құраушылардың бірқатарын (үйірін) сипаттау үшін де пайдаланылады. Шын мәнінде, Si-ден жасалған басқарылатын диод – бұл үш шықпасы бар төрт қабатты аспап. Оның құрылымы 7.1 а Суретте, ал схемаларда белгілеу үшін қолданылатын сәйкесті символ 7.1 б  Суретте көрсетілген.

    а)                         б)                                  в)

              7.1 – Сурет. Кремнийден жасалған басқарылатын диод:

                                  а – құрылымы;

                           б – символдық белгіленуі;

                           в – транзисторлық аналог.

     Егер анод пен катод аралығына оң таңбалы кернеу түсірілсе, шамасы сәл ғана ток пайда болады, себебі орталық ауысу (центрлік өткел) кері ығысқан болып қалады. Кернеудің шамасын өсіргенде оның белгілі бір мәнге жеткенде тоқтың көшкіндік өсу процесі басталады. Бұл процесс тек қана сыртқы тізбектің кедергісімен шектеледі. Көшкіндік процесс басталғаннан кейін тоқтың шамасын “ұстау тоғы” деп аталатын сандық деңгей шамасына дейін төмендетуге болады.

    Алайда (дегенмен), басқарушы электродқа оң таңбалы импульсті түсіріп, көшкіндік процесті инициализациялауға болады. Жоғарыда қарастырылған

жағдайдағыдай, ток жүре бастағаннан кейін оны (токты) тек “ұстау тоғы” деңгейінен төменгі шамаға дейін кемітіп тоқтатуға болады. Тәжірибе жүзінде мұны анод пен катодты конденсатор көмегімен немесе осы сияқты жолмен лезде қысқа тұйықтап та істеуге болады.

     Тиристорды іске қосу үшін керек болатын басқарушы электродтың тоғы жеткілікті аз (төмен). Мысалы, қуатты тиристор ішінде 50 А асып түсетін токтар жүре алады, ал бұл жағдайдағы басқарушы электрод тоғының шамасы 20 мА.        

                                                    

                         

                                  7.2 – Сурет.Тиристордың ВАС-сы

     Көшкіндік эффект әрекетін 7.1 в  суреттегі p-n-p/ n-p-n қос транзисторлар жұмысының бет алысымен қарастырып түсіндіруге болады. Оң таңбалы импульс басқарушы электродқа келіп түскеннен кейін TR1 және TR2 деп белгіленген транзисторлардың екеуі де бірден ашылады. Міне, осындай схема катодпен-басқарылатын тиристор деп аталады. Егер n-p-n-p – құрылымдар пайдаланылса анодпен басқарылатын тиристор болып шығады. Бұл тиристорды іске қосу үшін теріс таңбалы басқарушы импульс керек болып шығады. Тиристорлар токты тек бір бағытта ғана өткізе алады. Егер бір корпус ішінде анодпен басқарылатын және катодпен басқарылатын тиристорларды қосып жасасақ, екі бағытта да ток өткізетін екі бағытты тиристор деп аталатын, немесе триак деп аталатын аспапты аламыз. Міне осындай құрылым және оның символдық белгіленуі 7.3 Суретте көрсетілген. Екібағытты тиристорлар айналымы ток схемаларын басқару үшін кеңінен қолданылады.

 

                                а)                                           б)

                   7.3 – Сурет. Екі бағытты тиристор:

                                       а – құралымы;

                             б – символдық белгіленуі;

 

Сонымен қатар, жоғарыда сипатталған көшкіндік эффекттің негізінде жұмыс істейтін екі шықпасы болатын төрт қабатты аспапты да жасауға болады. Бұл аспаптың аталуы – диак  немесе екібағытты диодты тиристор. Осындай аспаптың МТ1 және МТ2 деп белгіленген шықпалардың арасындағы кедергісі көшкіндік процестің басталу кернеуінің шамасына жеткенше өте жоғары дәрежеде қала береді, яғни ток өткізбей оқшауланған болып тұрады. Көшкіндік процестің басталу кернеуіне жеткенде өткізгіштілігі артады (өседі) да, кернеу төменгі деңгейге дейін түседі, ал ток тек қана сыртқы кедергімен шектелінеді. Бұл жерде де  бұрынғыдай аспаппен жүретін ток оның шамасы ұстау тоғының деңгейінен төмен түскеннен кейін ғана тоқтайды.

 

 

 

7.4 Сурет – Тиристорлар тобының шартты белгіленуы мен симмистордың ВАС-сы

 

8 Күшейткіштік жұмыс нүктесін тұрақтандыру

 

     «А» режимінде жұмыс істейтін күшейткіш каскадтардың температура өзгергенде, транзисторды ауыстырғанда, транзистор және резисторлар ескіргенде жұмыс істеу қабылетін қамтамасыз ету үшін жұмыс нүркесін тұрақтандыру схемалары қолданылады. Мысалыға температура өскен кезде коллектордың тыныштық тоғы Іок өседі, осыған байланысты күшейткіштің ПЭК коэффициенті кемиді де, күшейткіш қызып кетеді. Ал, егер температура төмендесе, коллектордың тыныштық тоғы кішірейіп, түзу сызықты емес бұрмалаулар өседі, сонымен қатар шығыс кернеу, тоқ және қуат төмендеп, күшейткіштің күшейту коэффициенті кемиді.

Биполярлық транзистор каскадтарында ең көп таралған тұрақтандыру схемасы – эмиттерлік тұрақтандыру (8.1,а  сурет). Бұл схемада тұрақтандыру RЭ резисторы арқылы жүретін тұрақты тоқ бойынша пайда болатын теріс кері байланыс (ТКБ) арқылы іске асырылады.

8.1 Сурет – Тұрақтандыру схемалары

а) эмитерлік тұрақтану

б) коллекторлық тұрақтану

 

Кері байланыс (КБ) деп күшейткіштің шығысынан кірісіне көрнеудің бір бөлігін беруді айтады. Ал, теріс деп аталатыны бұл көрі кернеу кіріс кернеуге фаза бойынша қарама - қарсы болып, сигналды кемітеді. Бұл схемада айнымалы тоқ бойынша теріс кері байланыс болмау үшін резистор  RЭ үлкен сыйымдылығы болатын СЭ конденсатормен тұйықталады.

     Схеманың қалай жұмыс істейтінін көрейік. База мен эмиттер арасындағы кернеу

                                Uоб=UR2 -U                                                       (32)

     Егер, қандай да болмасын себептен, жұмыс нүктесі жүктеме сызығымен жоғары жылжып, коллектор тоғы өссе, (ә-Сурет), онда эмиттер тоғы да өседі.

Іоэок об ок                                                                                     (33)

 

(база тоғы кішкентай болғандықтан). Сондықтан  RЭ - резисторына түсетін кернеу  Uөседі. Осыған байланысты Uоб - кернеуі абсолют жағынан кішірейіп, базадағы кернеу бұрынғыға қарағанда оң мәнді болады да (І) формуланы қара), база тоғы кішірейіп, Іок = β Іоб  өрнегіне сәйкес коллектор тоғы да кішірейеді.

8.2 Сурет – Күшейткіштердің шығыс сипаттамалары

 

Сөйтіп, коллектор тоғының қандай-да болмасын себептен өсуі (температура әсерінен, ток көзінің өзгеруінен және т.б.) теріс кері байланыстың арқасында теңгеріліп, бұрынғы қалпына келеді , яғни жұмыс нүктесі өзінің орнына оралады.

Бұл схемадан сирегірек түрде коллекторлық тұрақтандыру схемасы қолданылады. Мұнда жұмыс нүктесі орнының тұрақтандырылуы кернеу бойынша параллель теріс кері байланыс арқылы іске асырылады (1,б Сурет). Теріс кері байланыс (ТКБ) резисторына Rкб қоректену көзінің көрнеуі   Еқ   мен  Rк  резисторына түскен кернеудің айырымы түсіп тұр. Қандай да болмасын себептен тыныштық коллектор тоғы Іок өссе, онда ІокRк түсу көрнеуі өседі де, Rкб - резисторына түсетін кернеу URок азаяды, сондықтан база тоғы кеміп, ол коллектор тоғының азаюына  келтіреді. Сөйтіп, кері процесс жүреді, яғни коллектор тоғының қандай да бір себептен ұлғаюы болмайды. Коллекторлық тұрақтандыру Rк - резисторында кернеу түсуі үлкен болғанда, тоқ беру коэффициенті β    көп өзгермегенде ғана айтарлықтай нәтиже береді.

Көп жағдайларда каскадтарда тек температуралық тұрақтандырылу қолданылады, оның көп схемалық түрлері бар. Мысалы, тек жартылай өткізгіш диодтың көмегімен  температуралық тұрақтандыруды орындайтын схеманы қарастырайық  (8.3 – сурет). Бұл схемада температура өскенде кедергісі азаятын, ал температура төмендегенде кедергісі ұлғаятын жартылай өткізгіш диод, тыныштық тоғының тұрақтылығын, ығысу кернеуін (Uоб – кернеуін) керекті жағына қарай автоматты түрде өзгертіп сақтап тұрады.

8.3 Сурет Диодтық температуралық теңгеру схемасы

 

Дегенмен, жартылай өткізгіш аспаптар көрсеткіштерінің үлкен шашыралуынан жұмыс нүктесін теңгеруін (яғни жұмыс нүктесінің температураға байланысты өзгеруін болдырмау) орындау үшін диод пен транзисторды біріне-бірін температура бойынша сәйкестендіріп, таңдап алынуы керек. Бұл осы схеманың кемшілігі болып табылады.

 

9 Күшейткіштер туралы түсінік. Операциялық күшейткіш

 

    Операциялық күшейткіш (ОК) – бұл дифференциалдық кірмесі бар модульдік көп каскадты күшейткіш, өзінің сипаттамасы бойынша ойдағы “идеалды күшейткішке” жуығырақ күшейткіш.

9.1Сурет Күшейткіштің құрылымдық схемасы.

 

Күшейткіш каскадтың жалпылама структуралық схемасы 9.1 Суретте көрсетілген. Күшейткіштің кірісіне (1-2 қысқыштар) электр қозғаушы күшінің (ЭҚК) әрекеттестік мәні  er , ішкі кедергісі Rкіру сигналының көзі қосылған. Кішкене қуатты кіру сигналы жоғарғы дәрежедегі қуаты бар қоректену көзінің энергиясының шығынын басқарады. Демек, басқарушы элементті (мысалы транзисторды) және өте қуатты қоректену көзін пайдалана отырып, кіріс сигналдың қуатын күшейтуге мүмкіндік бар.

Күшейткіштің шығыс тізбегінде күшейтілген сигнал әрекет етеді, ол схемада шығыс кедергісі Rшығ бар KUкір кернеу көзімен анықталған. Күшейтілген сигналдың энергиясын пайдаланатын сыртқы жүктеме Rж күшейткіштің шығысына қосылған (3-4 қысқыштар).

Күшейтілген сигналдардың түріне қарай күшейткіштерді екі топқа бөлуге болады.

1) Гармоникалық сигналдардың күшейткіштері әртүрлі шамадағы және формадағы гармоникалық және квазигармоникалық (гармоникалық деп есептеуге болатын), яғни периодтық сигналдарды күшейтуге арналған : Мұндай күшейткіштерге: микрофондық, трансляциялық және магнитофондық күшейткіштер, күй табақтарын ойнату күшейткіштері, көптеген өлшегіш күшейткіштер және т.б. жатады.

2) Импульстік сигналдардың күшейткіштері  әртүрлі шамадағы және формадағы периодтық және периодтық емес сигналдарды күшейтуге арналған. Импульстік күшейткіштерге: байланыс жүйелерінің импульстік күшейткіштері, теледидар бейнелеу сигналдарының, импульстық радиолокациялық құрылғылардың, электрондық есептеу техникасы тетіктерінің, реттеу және басқару жүйелерінің күшейткіштері жатады.

Күшейтілетін жиіліктерінің абсолюттік мәндеріне және жиілік жолағының ұзындығына (диапозонына) байланысты күшейткіштер мынандай түрлерге бөлінеді :

Тұрақты ток күшейткіштері (ТТК) – төменгі жиілігі fT =0 –ден жоғарғы жиілігі fЖ =20кГц –ке дейінгі жиілік жолағындағы электрлік сигналдарды күшейтуге арналған.

Төменгі жиілік күшейткіштері (ТЖК) - fT=100 Гц –тен fЖ =100 кГц –ке дейінгі жиілік жолағындағы айнымалы ток сигналдарын күшейтуге арналған. Жоғарғы жиілік күшейткіштері - fT=100 кГц –тен fЖ =100 МГц –ке дейінгі жиілік жолағындағы сигналдарды күшейтуге арналған. Кең жолақты және импульстік күшейткіштер - fT – бірнеше кГц –тен fЖ – бірнеше МГц –ке дейінгі жиілік жолағындағы сигналдарды күшейтуге арналған.

    Күшейткіштердің көрсеткіштері

    Күшейткіштің жұмысын әртүрлі көрсеткіштер сипаттайды.

    1) Күшейту коэффициенттері.

    Кернеу U (тоқ І немесе қуат P) бойынша күшейту коэффициенті делініп, күшейткіштің шығу жағындағы күшейтілген шаманың күшейткіштің кірісіндегі соған сәйкес шамадан қанша есе үлкен болатынын көрсететін сан айтылады.

    Кернеу бойынша күшейту коэффициенті :

KU = Uшығ / Uкір  , мұнда Uшығ – күшейткіштің шығыс жағындағы кернеу мәні, Uкір – кіріс кернеу мәні.

Ток бойынша күшейту коэффициенті :

KІ = Ішығ / Ікір  , мұнда Ішығ – күшейткіштің шығыс жағындағы ток мәні, Ікір – кіріс ток мәні.

Қуат бойынша күшейту коэффициенті :

Kp = Pшығ / Pкір , мұнда Pшығ  – күшейткіштің шығысындағы қуат, Pкір – кіріс қуаты.

     Күшейту коэффициенттерін логарифмдік бірліктерде көрсету өте ыңғайлы, өйткені адамның құлағы қабылдайтын дыбыс қаттылығы соған сәйкесті дыбыс энергиясының өзгеруінің логарифміне пропорционал екені анықталған. Сондықтан, күшейту коэффициенттерін логарифм түрінде былай жазамыз

    KU (дБ) = 20 Lg(Uшығ / Uкір ) = 20 Lg KU ,

    KІ (дБ) = 20 Lg(Ішығ / Ікір ) = 20 Lg KІ ,

    Kp (дБ) = 20 Lg(Pшығ / Pкір ) = 20 Lg Kp .                                       (34)

Мұнда «дБ» - децибелден қысқартылып алынған.

Егер, KU (дБ) = 3дБ болса, онда шығыс кернеуі Uшығ  кіріс кернеуінен Uкір –ден 1,4 есе артық деген сөз, яғни жәй күшейту коэффициенті KU = 1,4 .

    Егер, күшейткіш бірнеше каскадтардан тұрса (мысалға n – каскадтан) онда олардың жалпы күшейту коэффициенті

                                                                    (35)

 

    2) Шығыс қуат

                                Pшығ = U2шығ.m / 2*Rж ,                                          (36)

 мұнда  Rж – белсенді жүктеме, Uшығ.m – шығыс кернеудің максималь мәні.

    3) Пайдалы әсер коэффициенті /ПӘК/

                                η= Pшығ / P0 ,                                                        (37)

 

мұнда Pшығ – күшейткіштің жүктемеге беретін пайдалы шығыс қуаты, P0 – транзистордың коллекторлық ток көзінен пайдаланатын қуаты.

    4) Күшейткіштің сезімталдығы. Бұл көрсеткіш күшейткіштің өте кішкентай сигналдарды қабылдап, соларды күшейте алатын қабілетін көрсетеді. Күшейткіштің сезімталдығы күшейтілетін өте кішкентай кернеулермен және қуаттармен анықталады. Қазіргі күшейткіштің күшейте алатын ең кішкене кіріс кернеуінің мәні Uкір.mіn = 10-6 В , ең кішкене қуаттың мәні Pкір.mіn = 10-6 ~ 10-7 Вт.

    5) Күшейткіштің кіріс және шығыс кедергілері.

    Кіріс сигналдың көзінен алынатын қуат, кіріс кедергіде бөлінеді, яғни

    Pкір = Uкір * Ікір = U2кір / Rкір = І2кір * Rкір ,                                         (38)

 

мұнда Uкір және Ікір – күшейткіштің кірісіндегі кернеу мен токтың әрекеттестік мәндері.

    Осыдан көрініп тұрғаны келесі: кіріс кедергі Rкір = Uкір / Ікір  айнымалы кіру сигналы үшін күшейткіштің кіріс қысқыштарының арасындағы кедергі болып табылады. Күшейтілетін сигнал үшін күшейткіштің шығыс кедергісі Rшығ (жүктеме кедергісі алынып тасталғанда), күшейткіштің шығыс қысқыштарының аралығымен анықталады.

 

10 Күшейткіштердегі кері байланыс. Кері байланыстың түрлері

 

     Күшейткіштердегі кері байланыс деп күшейткіштің шығыс тізбектерінен сигналдың бір бөлігін кіріс тізбектеріне беруді қамтамасыз ететін электрлік тізбектердің арасындағы байланысты айтады (10.1 Сурет). Күшейткіштің І – шығыс сигналының бір бөлігі (Uшығ кернеуінің немесе Ішығ тоғының бөлігі түрінде) КБ-2 тізбегі арқылы кері байланыс сигналы (Ікб  не Uкб) түрінде кіріс нүктеге барып қосылады.

10.1 Сурет - Кері байланысы бар күшейткіштің құрылымдық схемасы.

 

Бұл сигнал кіріс сигналымен қосылуы немесе одан алынуы мүмкін. Егер де кіріс сигналдың кернеуі Uкір мен кері байланыс сигналының кернеуі Uкб фаза бойынша сәйкес болып, бірімен-бірі қосылса, онда мұндай кері байланысты оң деп атайды. Бұл жағдайда күшейткіштің кірісінде үлкейген сигнал U1 әсер етеді. Егер де, кері байланысты қосқанда кіріс сигналдың кернеуі Uкір мен кері байланыс сигналының кернеуі Uкб фаза бойынша қарама-қарсы болса, демек олар бірінен-бірі алынса, онда мұндай кері байланыс теріс деп аталады.

11Тұрақты ток күшейткіштері (ТТК)

 

11.1 Тұрақты ток күшейткіштері

     Күні кешегі уақытқа дейін тұрақты ток күшейткіштердің  (ТТК-лардың) сипатталуы егжей-тегжейлі болатын.  Себебі ТТК-лар дискретті элементтердің  негізінде жасалатын. ИС-технологиясы аппаратураларды жетілдірушілерге сипаттамалары өте жақсы, арзан (жеке транзистор бағасынан аспайтын) ТТК-лармен пайдалануға мүмкіндік ашты.  Қазіргі кезде ТТК-лар стандартты блоктар ретінде қарастырылады да, өте сирек жағдайларда жетілдіруші күшейткіштің бұл түрін өз бетімен құрады (жинайды).

11.2 Негізгі қағидалар

Әдеттегі айнымалы ток күшейткіштерінде (АТК-ларда) бірінен соң бірі болып жалғанатын каскадтарды байланыстыру үшін конденсаторлар мен трансформаторлар қосылады. Байланыстың бұл түрі айнымалы ток бойынша болғандықтан, ығысу параметрлері әрбір каскад үшін мүлде тәуелсіз. Сірә, ТТК-ларда мұндай әдіспен пайдалануға болмайды,  себебі каскадтар арасындағы тікелей байланыс принципиалды түрде қажет.

Ал, бұл тікелей байланыс кейбір мәселелердің пайда болуына әкеліп соғады. ТТК, төмендегі  6 Суретте салынған схемаға ұқсауы тиіс.


11.1Сурет Қарапайым ТТК

 

Өкінішке орай, мұндай схеманың жұмыс істемеуінің  бірқатар себептері бар. Транзисторлардың  сипаттамалары  температура өзгергенде және аспаптан (транзистордан)  екіншісіне көшкенде жеткілікті кең ауқымда өзгереді. ТТК-ларға қатысты ең маңызды келесі транзистордың сипаттамалары жатады:

-       база-эмиттер арасындағы кернеу (Vbe);

-       коллектордың бастапқы тогы.

База – Эмиттер аралығындағы  Vbe-кернеу  температура  градусқа  өзгергенде 2мВ-ке өзгереді. Күшейткіш Vbe-кернеуінің өзгеруі температураның  өзгеруінен немесе кіріс сигналының өзгеруінен  болғанын ажырата алмайды. Көптеген қолданыстар үшін күшейткіштің кіріс сигналы  шамасы бірнеше милливольт кернеумен алынады да, бұл жағдай қарапайым күшейткішті (қоршаған орта температурасы әсер ететіндігінен) тек өзін ғана пайдалануға мүмкіндік береді.

Ал, енді, коллектордың бастапқы тогын қарастырсақ, ол да коллекторлық кернеудің шамасын өзгертеді. Өз жағынан бұл коллекторлық кернеу келесі каскад үшін  кіріс сигналы болып табылады. Сонымен, бұл коллекторлық бастапқы ток та, температураға тәуелді, яғни  (11.1-Суретте) келтірілген схема термометр ретінде пайдалану  үшін жарайды да, ал күшейткіш ретінде жұмыс істеу екіталай!

 

12 Дифференциалдық күшейткіш

 

     Тұрақты тоқ күшейткіштері уақыт бойынша өте жәй өзгеретін сигналдарды, соның ішінде жиілігі нөлге тең, яғни тұрақты тоқ сигналдарын күшейтуге арналған. Міне, сондықтан ТТК-нің амплитудалы – жиіліктік сипаттамасы 12.1-Суретте көрсетілгендей болады.

    Тұрақты тоқ күшейткіштері электрондық моделдейтін машиналар мен кернеулерді цифрлық кодқа түрлендіргіштердің негізгі элементтері болып табылады. Сонымен қатар, электрлік және электрлік емес сигналдарды автоматтық түрде реттеуде және өлшеуіш құрылғыларда кеңінен қолданылады.

12.1 – Сурет

    Тұрақты тоқ күшейткіштерінің басқа күшейткіштерге қарағанда мынандай ерекшеліктері бар :

    1) Каскадтар арасындағы байланыс элементтері реттеу реактивтік элементтерді (С,L,трансформаторды) қолдануға болады. Сондықтан әрбір каскадтың (екі көрші каскадтың) жұмыс нүктесін анықтайтын потенциалдар деңгейін бір – бірімен келістіру керек, сонымен қатар күшейтілетін сигналдар кезін күшейткішпен, ал ТТК – нің шығысын жүктемемен келістіру керек;

    2) Дрейфке байланысты. Шығыс кернеудің кіріс кернеу жоқта, күшейткіштің ішіндегі процестер әсерінен туатын өзгерулерін күшейткіштің “ноль дрейфі” деп атайды. Абсолюттік ноль дрейфі - ∆Uшығ др. , берілген уақыт аралығында тұйықталған кірісте, шығыс кернеудің максимальды өзгеруімен анықталады.

    Дрейфдің себептері болып келесі тұрақсыздандыратын факторлар айтылады :

    а) қоректену көзінің тұрақсыздығы;

    б) ТТК-нің транзисторларының температураның өзгеруіне байланысты дрейфі;

    в) схеманың элементтерінің біртіндеп ескіруінен болатын дрейф;

    г) транзисторлардың эмиттерлерінің инжекциялық қасиеттерінің тұрақсыздығы.

    Тұрақты тоқ күшейткішінің сапасын күшейткіштің кірісіне келтірілген дрейфтің кернеуімен (келтірілген дрейф деп аталады) бағалайды, яғни

    Uдрк =  ∆Uшығ др./ Ku , мұнда Ku – күшейткіштің кернеу бойынша күшейту коэффициенті.

    Дрейфті азайту тәсілдері :

1)              стабилизацияланған (тұрақтандырылған) қоректену көздерін қолдану;

2)              терең теріс кері байланысты қолдану (дрейфтің барлық түрлерін азайтады);

3)              жұмыс режимін термостабилизация жасайтын схемалар қолдану;

4)              шектелген тұрақсыздығы бар ТТК схемаларын (жұп схемалар, параллельді ө балансты схемалар) қолдану.

5)   тұрақты тоқ сигналдарын айнымалы тоқ сигналдарына айналдырып, күшейтіп алып, қайтадан тұрақты тоққа айналдыру схемалары (модуляция және демодуляция схемалары).

Дифференциальдық күшейткіш каскадтар.

    ТТК-ның дрейфін азайтудың шұғыл амалы – параллельді – байланысты (дифференциальдық) каскадтарды қолдану болып табылады. Дифференциальдық каскадтың қарапайым түрі 12.2-Суретте көрсетілген.Балансты схема деп аталуы, бұл каскадтың шығыс тізбегі балансталған көпір болып табылады, оның бір диагоналына қоректену көзі қосылып, ал екінші диагоналына шығыс кернеу (3-4 нүктелерінің арасына) қосылады. Көпірдің бірінші екі иығындағы бірінеөбірі параллель резисторлар RK1 мен RK2 біріне-бірі шама жағынан тең де, ал екінші иығындағы біріне-бірі параллель екі транзистор көрсеткіштері бірдей болатындай етіліп тандап алынады. Сондықтан, жалпылай схема параллельді балансты деп аталады. Және схема өте симметриялы. Осындай резисторлары RK1 мен RK2  біріне-бірі тең, бірдей транзисторлары T1 мен T2 бар идеальды каскадта қоректену көзінің кернеу өзгеруі толығымен баланстанады да каскадтың шығу тізбегінде кернеу нольге тең болады. Rэ – резисторы транзисторлардың тоғын тұрақтандыру үшін қойылған. Дифференциальдық каскадтың кірісіне (1 және 2 нүктелері арасында) кіру сигналдары Uкір1 мен Uкір2 –лерді берсек, онда каскадтың шығысындағы кернеу (3 пен 4 нүктелерінің арасындағы)

Uшығ = Uк2 - Uк1 = Kд (Uкір2 - Uкір1)                                               (39)

 

Мұнда Kд – дифференциальдық сигналдыкүшейту коэффициенті. Сондықтан, каскадтың дифференциальдық  деп аталуы: 1) ол тек қана дифференциальдық /айырмашылдық/ сигналдарды күшейтеді; 2) бірінші және екінші кірістер арасындағы сигнал кернеуінің айырмасын. Uкір2 - Uкір1 айырымы, 3) Uкір2 мен Uкір1 кернеулерінің белгілері әртүрлі болса, яғни фаза бойынша қарама-қарсы болса ғана өте үлкен болады, себебі бұл жағдай олардың абсолюттік мәндері қосылады : мұндай кіріс сигнал дифференциальдық кіріс сигнал деп аталады. Егерде, Uкір2 мен Uкір1 бірдей фазада болса, онда сигнал синфазалы деп аталады. Дифференциальдық каскадтың симметриялық кірісіне (1 және 2 нүктелер арасында) симметриялы синфазалы сигнал берсек, яғни Uкір2 = Uкір1 , онда олардың айырымы нольге тең болады да, симметриялық  дифференциальдық каскадтың шығысында сигнал болмайды (бұл (1) формадан көрініп тұр).

     Сөйтіп, дифференциальдық каскад синфазалық сигналды әлсіретіп, дифференциальдық сигналды күшейтеді.

     Бірақ, шындығында дифференциальдық каскад толығымен симметриялы бола алмайды, себебі дәлме-дәл бірдей Rк1 мен Rк2 –ны, көрсеткіштері тура бірдей T1 мен T2 транзисторларын таңдап алуға болмайды. Сондықтан, синфазалық сигнал бергенде дифференциальдық каскадтың шығысында кішкентай кернеу ∆Uсф болады.

Синфазалық сигналды күшейту коэффициенті

                                         Kсф = ∆Uсф / ∆Uкір сф .                                  (40)

 

Тұрақты ток күшейткіштерінде (ТТК-ларда) жаппай (барлық жерде) дерлік келесі бетте келтірілген схема қолданылады(12.2-Сурет).


Келесі транзисторлар: TR1 және TR2 арнайы бірдей сипаттамаларымен таңдап алынады. Әсіресе маңызды жағдай  -  бұл сипаттамалар температураның өзгеруі – мен бірдей өзгеруі тиіс.  Егер күшейткіш  (ТТК) дискретті компоненттер негізінде жиналатын болса, онда транзисторлар ерекшк ұқыптылықпен таңдап алынады да, температуралар теңдігін ұстап тұру үшін олар жылу әкеткіштермен қамтамасыздандырылады. Күшейткішті интегралыдқ түрде  қалыптастырғанда сипаттамалар  автоматты түрде дәлдеседі, ал температуралық тұрақтылық микросхеманың корпусымен қамтамасыздандырылады.

 

12.2-Сурет Тұрақты токтың  диффиренциялдық күшейткіші.

Интегралдық технология ыңғайымен жоғарыда айтылған мәселелерді шешудің нәтижесінде  Vbe кернеудің  өзгерістері коллекторлық  кернеудің бірдей өзгеруіне  келтіреді. Ал, егер R3-резисторды шамасы тұрақты ток көзі ретінде қарастырсақ, онда коллекторлық токтарға және  кернеуге ештеңе әсер етпейді десе де болады. Оның үстіне,   TR1 және  TR2 транзисторлардағы жүретін өзгерістердің бәрі болатындықтан дифференциялды шығыс кернеу өзгеріссіз болып қала береді.

Бастапқы токтың (коллектор тогының) өзгерулері транзисторлардың екеуіне де бірдей болатындықтан шығыс кернеуінің айтарлықтай өзгерісіне келтірмейді.

ТТК-ның кірістеріне амплитудасы және фазасы бойынша бірдей екі кіріс  сигналдары келіп түссін делік.  Бұл сигналдар транзистордың екеуінде де коллектор тогының бірдей өзгеруін береді, ал  бұның нәтижесінде шығыс кернеуі нөлге тең болып шығады. Егер кіріс сигналдар айырмашылықта болса, коллекторлық тоқтар да айырмашылықта болады. Бұл жағдайда шығыс кернеу  екі кіріс сигналдар кернеулерінің күшейтілген айырымы болып табылады. Міне сондықтан да бұл күшейткіштер дифференциялдық деп аталады.

Дифференциалдық күшейткіштің (ДК-ның) маңызды сипаттамасы келесі. ДК дифференциалдық сигналды, яғни кірістегі кернеудің айырымын, (кіріс сигналдың өздерін емес) күшейту қабілеті.

Мысалы, V1=0.1мB, V2=0B, Vout=50мВ болсын делік. Дифференциалдық  сигналдың күшейту коэфиценті келесі болып шығады:

Ad= 50/0.1=500

Егер кіріс кернеулерінің шамалары 1 мВ- ке өссе: V1=1.1мВ,V2=1мВ шығыстағы кернеудің шамасы келесіге тең болып шығады: Vout=52мВ.  Олай болса синфазалық кіріс  сигналдың күшейту коэффиценті келесіге тең:

Ac=(52-50)/1=2

ДК-нің дифференциялдық сигналдарды күшейту және синфазалы сигналдарды басу қабілеті синфазалы сигналды бәсеңдету коэфиценті (ССБК) деп аталады да, келесі өрнекпен анықталады:

ССБК=Ad/Ac

Жоғарыда қарастырылған күшейткіштің ССБК-сы 250-ге тең. Интегралдық ДК-лардың ССБК мәндері үлкен болатындықтан оларды деңибеллдермен беріледі.

Мысалы, 741 тобырының операциялық күшейткішінің ССБК-сы 90дБ

ССБК-ны жақсарту үшін 12.2-Суретте көрсетілген R3  резистордың сипаттамаларын шамасы тұрақыты болып тұратынток генераторының сипаттамаларына жақындату керек. Бұны ток генераторының кедергісін арттыру жолымен орындауға болады, себебі кедергінің өсуі теріс қоректендіру кернеуінің  абсолют мәнінің өсуіне келтіреді. Әдетте ТТК-ның  қоректендіру кернеуі  ±15В болады да, бұл шама практика жүзінде R3 резистор кедергісін өсіру мүмкіндігін шектейді.

ССБК-ның жақсартылуын келесі әдісті қолданып орындауға болады. Эмиттерлік тізбектегі  R3-резисторды 8-Суретте көрсетілгендей транзисторлық тоқ көзімен алмастырып та орындауға болады.

12.3-Сурет ССБК-сы үлкен дифференциялды күшейткіш(ДК)

ZD1-стабилитрон   TR3-транзистордың эмиттеріндегі кернеуді беріп тұрады. Бұл транзистордың коллекторлық тоғы  дифференциалдық жұптың транзисторларының эмиттерлеріне келіп түседі. Егер транзисторлық дифференциалдық жұптың эмиттерлеріне шамасы(мәні) тұрақты ток түсіп тұрса ССБК-ның өте жоғары дәрежесіне жетуге болады.

 

13 Үзгіші бар тұрақты ток күшейткіші

 

Тұрақты ток сигналдарының тағы да бір басқа әдісі – ол, транзисторлық немесе КМОП ауыстырып-қосқыштарды кіріс сигналын  үзу үшін пайдалану. Бұның нәтижесінде айнымалы ток сигналы пайда болады да, оны содан кейін қарапайым айнымалы ток күшейткішімен (АТК-мен) күшейеді. Схеманың  шығысында тағы да бір ауыстырып қосқыш  көмегімен сигналдың  тұрақты  құраушысының деңгейі қалпына  келтіріледі Осындай күшейткіштің схемасы 13.1-суретте көрсетілген.

 

a)                                                     б)

13.1 - Сурет Қарапайым айнымалы ток күшейткіші.

Жоғарыдағы Суреттегі S1 мен  S2 – кезекпен жұмыс істейтін транзисторлық немесе КМОП-ауыстырып–қосқыштар, яғни S1 жабық болғанда S2 ашық болады. (13.1 б–суретте) Сигналдардың тұрпаттары (формалары) келтірілген. Үзгіші бар күшейткіштен кейін схемада әдетте сүзгіш  қосылады. Ол ауыстырып–қосқыштар тудыратын сигналдың айнымалы құраушын қиып тастайды.

Үзгіші бар күшейткіштер жиі кірісті схеманың қалған бөлігімен айыру талап етілгенде  пайдаланылады. Міне, осындай тәсілдің мысалы ретінде деректерді тіркеудің өнеркәсіптік жүйелерін  қарастыруға болады. Бұл жүйелерде завод жабдықтарының жұмыс  істеуі кезінде пайда болатын кернеу құламалары түрлендіргіштің кірістеріне жоғарғы кернеудің келіп түсуіне келтіруі мүмкін. Айыруы бар  күшейткіштің осындай жерде қолданылуы схеманың жанып кету мүмкіндігінен сақтайды.

Тұрмыстық айыруы бар күшейткіштер  аспап корпусының ішіне орналастырылған түрде жасалады. Бұл аспаптар 1кВ асып түсетін кернеулерді «ұстай алады». Әдетте, пайдаланушыға дайын күшейткішті сатып алған пайдалы, өзінің конструкциясын әуреленіп  жетілдірілгенше.

 

14 Интегралды операциялық күшейткіштер және олардың негізіндегі схемалар

 

Операциялық күшейткіштер  (ОК-лар) және олардың қолдану салалары егжей-тегжейлі келесі бөлімдерде қарастырамыз. Бірақ, бұл тақырыпты егжей-тегжейлі қарастырудың алдында  бұндай схемаларды жетілдірумен байланысты болатын шектер мен шектеулерді  белгілеп алу керек.

Ең кең таралған ОК-741 тобыры (14.1-Суретте микросхема корпусындағы оның шықпаларының орналасуы көрсетілген).

 

                       14.1- Сурет 741-тобырдың  операциялық күшейткіші.

 

Бұл күшейткіштің келесі екі кірісі бар:

- терістемейтін (3) (кейде «+» таңбасымен белгіленеді) кіріс. Бұл кіріске  сигнал келіп түскенде шығыс сигналының фазасы кірістікімен үйлеседі;

- терістейтін (2) («-» таңбамен белгіленетін) кіріс. Бұл кіріске сигнал келіп түскенде шығыстағы сигнал кірістегімен қарама-қарсы фазада болады.

ОК күшейткішінің маңызды параметрі болып кері байланыс тұзағы ажыратылғандағы күшейту коэфиценті  алынады; қарастырылып отырған 741-тобыр күшейткіші  үшін бұл коэфиценті . Екінші бір маңызды параметріне алдағы оқылып кеткен  дәрісте қарастырған (ССБК) синфазалы сигналды бәсеңдету коэфиценті. Күшейткіш спецификациясында (құжаттарында) көрсетілген ССБК-ның мәні-90дБ.

    Күшейткіштің басқа сипаттамаларын қарастыру үшін ОК-күшейткіштерінің қалай жұмыс істейтінін білу керек.

    Егер ОК кірістерінің екеуінде де кернеу “0” болса, онда оның шығысында да “0” болады  деп күтеміз. Бірақ күшейткіштің (ОК-ның) кіріс транзисторының база-эмиттер Vве кернеуі сәл де болса айырмашылықта болады, ал күшейту  коэфиценті өте үлкен, сондықтан да, шығыс кернеу, сөз жоқ, нөлден өзгеше болады (яғни нөль емес). Күшейткіштің шығысында  0 В кернеу алу үшін кірістердің біреуіне нөльден өзгеше кернеуді  түсіру керек.

    Міне, осы кернеу шығыста нөльді ығыстырудың есесін қайтаратын кернеу деп аталады да, Vio деп  белгіленеді және әдетте 10мВ  шамасына жақын. Біздің қарастырып отырған (14.1-сурет) 741-тобыр күшейткіштерінде, жоғары сапалы болғандықтан нөльді ығыстыру(1мВ) кернеуі 1мВ-тен кем де болуы мүмкін.

Өз бетімен нөльді ығыстыру кернеуінің ерекше мәні жоқ, себебі оның есесін қайтаруға (компенсациялауға)  болады. Мәні маңыздырақ болатын келесі мәселе: Температура өзгергенде  Vio – шығыста нөльді ығыстыру есесін қайтаратын кернеу де өзгереді. Бұл маңызды көрсеткіш-параметр αVio деп белгіленеді де, әдетте 5мкВ/с шамасына жақын.

ОК-күшейткіштің кіріс транзисторларының екеуінде Ів деп белгіленетін база токтары ағады. Әдетте олардың шамалары өте төмен, 741-тобыр күшейткіштерінде жуық шамамен  ~ 0,5 мкА.

Міне, осы токтардың ықпалын min-ға жеткізу үшін  кіріс жолдарының екеуіндегі кедергілерді теңестіру керек. Бұл жағдайда база токтары бірдей ығыстыруларды береді де, олар күшейткіштің жұмысына ықпал етпейді.

Сипаттамалар бір - бірімен жақсы келістірілгенмен, соның өзінде де базалық токтар бірдей болуы мүмкін емес. Базалық токтардың айырмашылығы Ііо деп белгіленеді де, оның шамасы 0,2 мкА жақын. Бұл Ііо-базалық токтың Vio-кернеуден ерекшелігі келесі. Базалық ток тәжірибе жүзінде температураға тәуелді өзгермейді.

ТТК-күшейткіштер төменгі жиіліктерде жұмыс істеуге үшін арналған және кері байланысты (КБ-ні) пайдаланғанда орнықты жұмыс істеумен байланысты болатын мәселелерді минимумға келтіруге арналған.

741-тобыр күшейткішінің жоғарғы жиіліктер аймағындағы сипаттамасына кристалл бетінде арнайы орналастырылған сыйымдылығы 30пФ конденсатор көмегімен саналы түрде шек қойылады. Мұндай күшейткіштің күшейту коэффициенті 60дБ-ге дейін 1кГц жиілікте түседі, 40 дБ –ге дейін 10 кГц жиілікте және 0дБ-ге дейін 1МГц жиілігіне түседі. Күшейту коэффициенті 1дБ-ге  дейін түсетін жиілік бірлік күшейту коэффициенті жолағының ені деп аталады.

Ішкі компенсация (яғни шығыста «0»-ді ығыстырудың есесін қайтаратын кернеуі) болмайтын ТТК-лар да бар. ОК-ның бұл түріне, мысалы 531-тобыр операциялық күшейткіші жатады. Бірлік күшейту коэффициенті жолағының ені бұл ОК-үшін 10МГц шамасынан асып түседі, ал 500кГц-ке дейінгі жиіліктерде күшейту коэффициенті 40дБ. Егер компенсацияланбаған күшейткіштерді пайдаланатын болсақ, онда орнықсыздықпен байланысты (мәселелер) проблемалар пайда болатыны туралы естен шығармау керек.

ОК күшейткішті Суреттеудің (сипаттаудың) екінші әдісі де бар – ол шығыс кернеуінің өспе жылдамдығын анықтау. Бұл параметр көмегімен кіріс сигналы сатылы өзгергендегі  күшейткіштің сипаттамасын бағалауға болады. Сипаттама кіріс сигналының  өзгеру жылдамдығы ретінде  анықталады және уақыт бірлігіне келетін вольттармен  өлшенеді. 741-тобыры күшейткіш үшін кіріс кернеудің өспе жылдамдығы: 0,5 В/мкс.

 

15 Терістеуші  күшейткіш (инвертор)

 

15.1 суретте терістеуші  күшейткіштің схемасы келтірілген (берілген).

15.1 Сурет Терістеуші күшейткіш

Vout=                                                                                        (41)

мұндай күшейткіштің күшейту коэффициенті өте жоғары болғандықтан R1 және R2 резисторлардың қосылу нүктесіндегі кернеу 0 В-тен бірнеше милливольт шектерінде өзгереді деп, болжауға болады. Олай болса келесі өрнектерді  жаза аламыз

                                I1=Vin/R1,                                I2=-Vout/R2                    (42)

Егер база тоғы  Ів елемейтіндей аз шама деп болжасақ (әдетте осылай болады), онда.                                                                 I1=I2

                      Vin/R1=-Vout/R2         немесе     Vout=-R2/R1*Vin

Бұрын айтылып кеткендей, күшейткіш шығысында нөлдің ығысуы минималь болу үшін кіріс кедергі келесі өрнекте берілгендей таңдап алынуы тиіс                                                                                               (43)

Шығыста нөлді ығыстырудың есесін қайтаратын VI0 деп белгіленген кернеу және II0 деп белгіленген базалық ток үшін нөлдік мәндер төмендегі 15.2 суретте көрсетілген екі тәсілдердің біреуімен қойылуы (орнатылуы) мүмкін.

 

                       a)                                                      б)

15.2  Сурет -ТТК-лар үшін VI0 және II0 токтың нөлдік мәндерін қою (орнату):

а) нөл орнату шықпалары;

б) қосындылаушы қосылыс.

 

12а Суретте келтірілген схемада, 741- күшейткіш микросхемасының ішінде алдын ала жасалған (1 және 5 шықпалар) нөлді орнату мүмкіндігі пайдаланылады. Екінші тәсіл қосымша резисторды қоюға негізделген. Бұл резистордың көмегімен ток I1-ді не өсіруге немесе кемітуге болады (15.2,б Сурет).

 

16 Қосындылағыш (Сумматор)

 

Төмендегі 16.1-Суретте келтірілген схема бірнеше кернеулерді қосу үшін пайдаланылады. Жоғарыда келтірілген талдау сияқты анализ жүргізетін болсақ, келесі өрнекті жаза аламыз

                                            (44)

 

ал R5 деп белгіленген резистордың кедергісі R1, R2, R3 және R4 параллель қосылған резистордың кедергісіне тең.

    16.1 - Сурет ОК(операциялық күшейткіш) негізіндегі қосындылағыш

    Қосындылағыш схемалары аналогтық есептеуіш құрылғыларда және дыбыстық жиілік араластырғыштары үшін негізгі элементтері ретінде қолданылады.

 

17 Кернеудің қайталағышы

 

    Төмендегі 17.1Суреттегі схема 100% КБ-мен қамтылған. Кірістердегі кернеудің шамалары небәрі милливольт немесе соның маңында айырмашылықта болуы мүмкін:

17.1 – Сурет. ОК негізіндегі кернеудің қайталағышы

 

    Бұл схеманың кіріс кедергісі өте үлкен (әдетте бірнеше мега Ом), ал шығыс кедергісі өте төмен (мәні небары бірнеше Ом).

    Бұл схема өте қолайлы буферлік каскад ретінде пайдаланылады да, өте тиімді эмиттерлік қайталағыш ретінде қарастырыла алады.

 

18 Терістемейтін күшейткіш

 

18.1 Суретте терістемейтін ОК-лардың әртүрлі қосылу схемалары көрсетілген.

                                         а)                                            б)

 

в)

18.1- Сурет Терістемейтін күшейткіштер:

а) негізгі схема

б) айнымалы ток күшейткіші

в) компенсациялық КБ-сі бар айнымалы ток күшейткіші

 

18.1а Суреттегі схеманы талдағанда терістеуші кірістегі кернеуді келесі түрде жазуға болады

                                                                                    (44)

Бұрын қарастырған себептердей (яғни оларға сүйеніп) келесі өрнекті жаза аламыз

,  =>  ,                                                                  (45)

,                                                   (46)

    Әдетте 18.1а Суретте көрсетілген схеманың негізінде дыбыс жиілігінің күшейткіштері жиналады. 18.1б Суретте келтірілген схемада С1 мен C2 конденсаторлардың көмегімен айнымалы ток бойынша айыру қамтамасыз етіледі де, ал R1 мен R2 резисторлар терістемейтін кірісте және шығыста тұрақты құраушының деңгейін орнықтырады. Резисторлар R3 пен R4 айнымалы ток бойынша күшейту коэффициентін анықтайды

    Жоғарыдағы 18.1б Суретте көрсетілген схеманың кіріс кедергісі параллель қосылған R1 мен R2 резисторлар кедергісімен беріледі. Компенсациялық КБ-сі бар 18.1в Суреттегі күшейткіш өте үлкен (жоғарғы мәнді) кіріс кедергіге иеленеді. Бұрын қарастырылған схемалардағыдай тұрақты құраушының деңгейі R1 мен R2 резисторлармен орнықтырылады.

 

19 Операциялық дифференциалдық күшейткіш (ДК)

19.1-Сурет Синфазалы бөгеуілдің енгізілуі

    Х1 мен Х2 элементтер бұл бақыланатын екі тензорезисторлар. Олардың қосылуы келесі эффект береді: Механикалық әрекеттен Х1 кедергі артады, ал Х2 кедергісі кемиді. Ү1 мен Ү2 элементтер – бұл механикалық әсерге ұшырамайтын бірдей тензорезисторлар. Олардың атқаратын міндеті – схеманың температуралық тұрақтандырылуы.

    VB-деп белгіленген кернеу – практика жүзінде шамасы өте кішкентай болады да, кернеу көпірінен алынады. Бұл VB кернеу күшейткішке келіп түскенде, оның кірісіндегі (әрбір кірісіндегі) кернеу келесі түрде анықталады

                                                                                      (47)

Мұндағы VСМ – синфазалы бөгеуіл кернеуі. Бұл кернеу қарастырылып отырған жол ішіне сыртқы бөгеуілдер көзінен еніп кетуі мүмкін. Егер көпірден келетін жалғау сымдары экрандалған орам жұбы болатындай істелінсе, онда күшейткіш кірістерінің екеуінде де енгізілетін синфазалық кернеу бірдей болады. Міне осы соңғы жағдай дифференциалды күшейткішті пайдалануға (мүмкіндік береді) жол ашады.

    Дифференциалдық күшейткіштің (ДК-ның) схемасы 19.2 суретте келтірілген.

19.2– Сурет ОК негізіндегі ДК

 

Схема дұрыс жұмыс істеу үшін резисторлар арасында келесі қатынастар орындалуы тиіс: R1=R3 және R2=R4. Бұл жағдайда

                                                                         (48)

    ССБК-ның максималь мәніне жету үшін дәлме-дәл резисторлармен пайдалану керек.

    Дифференциалдық күшейткіштер синфазалы бөгеуілдері болатын жағдайларда шамасы бойынша сигналдың кернеуі өте кішкентай болып, оны күшейтуге тура келетін аспаптарда, мысалы термопараларда, тензотүрлендіргіштерде, медициналық электрондық аспаптарда кеңінен қолданылуын тапты.

 

20 Интегратор

 

    Интегралдау - математикалық операция екені белгілі. Бұл математикалық операция графикалық түрде орындалғанда қисық сызықтың (оның кесіндінісінің) астындағы ауданды анықтауға мүмкіндік береді. Интегралдау ортақ айнымалылары болатын өзара тәуелді функциялар арасындағы байланысты табуға да мүмкіндік береді. Міне осындай айнымалы ретінде, яғни ортақ айнымалы ретінде уақытты алуға болады.

    Мысалы, жылдамдық – үдеудің интегралы, ал қашықтық – жылдамдықтың интегралы. Интегралдау көптеген жүйелерде қолданылады. Төмендегі 20.1а Суретте интегралдау схемасының теориалық моделі көрсетілген.

 

                       а)                                                      б)

в)

 

20.1-Сурет. ОК негізіндегі интегратор:

а) қарапайым схема;

б) нақты схема – SW1 ауыстырып қосқыш нәтижелердің түсірілуін орындайды яғни нөльді орнатадыжәне интегралдау процесін «қосады»;

в) кіріс және шығыс сигналдардың уақыттық диаграммалар.

 

    Терістеуші схема үшін жасалған талдаудай анализ жасап, яғни R-резистор және C-конденсатор арқылы жүретін тоқтар дәлдеседі деп болжап, келесі өрнектерді жаза аламыз

                                      

    Бұл токтар тең болуы тиіс болғандықтан:

немесе

                                  (49)

    Интегратордың нақты схемасы 20.1 б Суретте көрсетілген. Бұл Суреттегі RV1-потенциометр көмегімен токтың кіріс ығысуын туралап қоюға болады, себебі кіріс тоғының бұл ығысуы күшейткіш шығысының баяу ығысуын (қанығу күйіне қарай) тудырады. Схеманы бастапқы күйіне орнату үшін ауыстырып қосқышты (SW1) тұйықтайды да, R4 резистор арқылы C1 конденсаторды разрядтайды.

    20.1 в Суретте нақты схеманың уақыттық диаграммалары көрсетілген. Кіріс кернеу (VIN, [B]) сатылы өзгергенде V/RC [B/c] жылдамдықпен шығыс кернеудің сызықты өзгеруі болады.

 

21 Дифференциатор

 

    Дифференциалдау уақыт бойынша өзгеретін параметрлердің лездік мәндерін алуға мүмкіндік береді. Мысалы, қашықтықтың уақыт бойынша туындысын,  яғни жылдамдықты.

    Ал өз жағынан, уақыт бойынша жылдамдықтың туындысы үдеуді береді. Міне, осындай дифференциатордың оңайлатылған схемасы 21.1 а Суретте келтірілген.

                       а)                                                              б)

в)

21.1 Сурет – ОК негізіндегі дифференциатор:

а) оңайлатқан схема;

б) нақты схема;

в) жиіліктік сипаттама.

 

Алдағы бөлімдегі анализге ұқсас талдаудың нәтижесінде келесі өрнекті жазуға болады.

                                                                                               (50)

    Тәжірибе жүзінде жақсы дифференциатордың жиіліктік сипаттамасы жиіліктің өсуімен артады, яғни жоғарғы жиіліктердегі күшейту коэффициентінің өте (аса) жоғарғы мәндерін іске асырады. Міне, бұл жағдай қажетсіз (тиімсіз), себебі мұндай схемада жоғарғы жиіліктерде шудың пайда болу ықтималдылығы өте жоғары. Жоғарыдағы 21.1 б Суреттің схемасына ЖЖ (жоғарғы жиілік) аймағында күшейту шектегіші енгізіледі. Бұл дифференциатордың RC – тізбегі (R1/C1) беретін ТЖ (төменгі жиіліктегі) сипаттамасы 21.1 а Суретте көрсетілген дифференциатордікімен бірдей (ұқсас). Ал, ЖЖ аймақта күшейту коэффициенті R2 резисторды  және C2 конденсаторды схема ішіне енгізгендіктен төмендейді. Бұл элементтердің номиналдары келесі теңдеу: R1C1=R2C2 орындайтындай етіп таңдап алынады. Күшейту коэффициенті max мәніне жетіп, содан кейін кемитін жиілік, келесі формула бойынша анықталады.

                                                                                                       (51)

    Жоғарыдағы 21.1 в Суреттен максималь күшейту коэффициенті R1/R2 мәніне тең болатынын жиіктік сипаттамадан көруге болады.

 

 

22 Сүзгілер

 

    Белгілі бір берілген (тапсырылған) жиіліктік сипаттамалармен схемаларды алу үшін сүзгілерді пайдаланады. Сүзгілердің негізгі төрт түрі болады.

    Төменгі жиіліктер (ТЖ фильтр) сүзгісі жиілігі белгілі бір тапсырылған (берілген) мәннен асып түсетін сигналдарды өткізбей бөгет болады. ТЖС – лердің әдетте қолданылатын саласы – дыбыстық схемаларда ЖЖ шуды жою. Сондықтан мұндай сүзгілер шуыл жұтушы деп аталады.

ЖЖС жиілігі белгілі бір берілген мәннен асып кететін сигналдарды ғана өткізеді. Мұндай сүзгілер дыбыстық схемаларда ТЖ шуылдарды жою үшін пайдаланылады. Бұл ТЖ шуыл, мысалы магнитофонның “лентопротяжный” механизмі жұмыс істегенде пайда болады.

    Жолақтық сүзгілер тек белгілі бір ауқым ішіндегі жиіліктерді өткізеді, ал режекторлық сүзгілер (сүзгі – тығын белгілі бір жиіліктер ауқымының сигналдарын өткізбейді) мысалы, жиілігі 45 .. 55 Гц ауқымының режекторлық сүзгісі жиілігі 50 Гц желілік шуылдарды бұғаттау үшін өлшеуіш аппаратурада кеңінен қолданылып жүр.

    Төмендегі 22.1 Суретте ОК негізінде жиналған сүзгілердің схемалары және олардың атқаратын қызметіне сай болатын шарттар көрсетілген.

а)  АЖС-ның түсу жиілігі: ;

 

б) Сындық әлсіреу үшін: R1=R2=R, C2=C, C1=2C, Қиық жиілігі .

Егер С1>2C2 болса, онда схеманың жиіліктік сипаттамасының резонанстық шыңы болады.

в) АЖС-ның түсу жиілігі:

 

 

 

г) Сындық әлсіреу үшін: С1=С2=С,  R1=R,  R2=2R.

Қиық жиілігі

    Егер R2 >2R1 болса, онда схеманың жиіліктік сипаттамасының резонанстық шыңы болады.

 

д) Орталық жиілік , , егер R1=R2=R, R3=2R және С1=С2

 

е) Орталық жиілік: .  Егер R1=R2=R, R3=R/2 және С1=С2=С,  С2=2С

 

22.1 Сурет – ОК-лар негізіндегі сүзгілер:

а) қарапайым ТЖС;

б) ТЖС-ң классикалық схемасы;

в) қарапайым ЖЖС;

г) ЖЖС-тың классикалық схемасы;

д) жолақтық сүзгі;

е) режекторлық сүзгі.

   

Бұл жерде қиық жиілігі деп отырғанымыз сигналдың амплитудасы 3 дБ-ге  кемитін АЖС-тегі нүкте, яғни жиіліктің бұл мәні белгілі бір шекаралық мән (шама) ретінде (оны асып түсетін немесе оған жетпейтін жиіліктер мәндерін жібермейтін (кідіртетін)) алынып отырған жоқ.

    (22.1а) және (22.1в)  Суреттерде түсуі 20дБ/декада бір каскадты сүзгілер көрсетілген, ал (22.1б) және (22.1г) Суреттерде түсуі 40дБ/декада екі каскадты сүзгілер көрсетілген.

    Ал, соңғы екі сүзгілерде (22.1 д) және (22.1е) Суреттердегі өшу бұл соңғы екі Суретте көрсетілген құраушылар ноиналдарын өзгерту жолымен реттеле алады.

 

 

 

23 Шмитт триггері

 

    Шмитт триггері уақыт бойынша баяу өзгеретін сигналдарды шептері күрт, формалары айқын сигналдарға түрлендіру үшін кеңінен қолданылады. Төмендегі Суреттен көруге болатындай (23.1 Сурет), бұл триггерлерге гистерезис тән болады.

    Ағылшынша қысқартылған абривиатурамен UTP деп белгіленетін жұмысқа қосылуының жоғарғы табалдырығы және LTP деп белгіленетін төменгі табалдырығы бар.

    Гистерезис – сипаттаманың кері тұзағының тұрпаты, яғни формасы болып табылады да, егер баяу өзгеретін кіріс сигналға шуыл қабаттасатын болса, гистерезис шығыстағы сигнал флюктуациясын кемітеді.

ОК негізіндегі триггер Шмитта 23.1 в Суретте көрсетілген.

 

а)                                                               б)

 

                                в)                                                     г)

23.1 Сурет – ОК негізіндегі Шмитт триггерлері:

а) схеманың шығыс сипаттамасы (гистерезис);

б) гистерезистің қалыптастырылуы;

в) негізгі схема;

г) стабилитрондардың көмегімен орнатылатын ауыстырып-

қосу нүктелері болатын Шмитт триггері.

23.1 в Суреттегі триггер шығысы қанығу күйінің оң таңбалы немесе теріс таңбалы полярлығында болады. Ал енді, кіріс сигналдың деңгейі триггердің жұмысқа қосылуының жоғарғы табалдырығын асып түседі деп болжайық; схеманың шығысында «-» таңбалы  кернеу орнығады да, ал терістемейтін кірісте келесі кернеудің шамасын аламыз.

                                                                                                      (52)

Міне, осы соңғы жазылған мән триггердің жұмысқа қосылуының төменгі табалдырығы болып табылады. Сондықтан кіріс кернеу  осы қосылудың төменгі табалдырығынан асып тұрғанына дейін шығыстағы деңгей өзгермейді. Егер  кернеудің шамасы жұмысқа қосылуының төменгі табалдырығынан кіші мәніне түссе, шығыстағы кернеудің шамасы артады (өседі) да, онымен бірге ОК-ның терістемейтін кірісіндегі кернеу де артады, яғни осындай схемада оң (таңдалы) кері байланыс орын алады; шығыс кернеудің  мәніне дейін күрт өсуі терістемейтін кірістегі кернеу мәнінің көлемі шамаға дейін артуын береді.

Бұл соңғымыз – триггердің жұмысқа қосылуының жоғарғы табалдырығының кернеуі: енді,  кернеудің шамасы жұмысқа қосудың жоғарғы табалдырық кернеу деңгейінен асып тұрғанына дейін схеманың шығысында полярлығы оң таңбалы кернеу болады.

    Жоғарыда 23.1в суреттегі схеманың жұмысқа қосылу табалдырықтарының жоғарғы және төменгі деңгейлері ОВ-шамасына қатысты симметриялы. Бұл схеманың толып жатқан түрлері бар. Олардың кейбіреулерінде жұмысқа қосылу табалдырықтары симметриялы емес болуы мүмкін. Мысалы, 23.1г Суретте көрсетілген схеманың жұмысқа қосылу табалдырықтарының жоғарғысы да, төменгісі де полярлықтары бойынша бірдей және бұл схема бір ғана қоректендіру көзінен жұмыс істейді.

Логикалық микросхеманың көбі Шмитт триггерлі болып табылады. Мысалы, ТТЛ тобындағы 7414 (ИМС-тер) немесе КМОП тобындағы 4093 (бұл ИМС-тің құрамына төрт ЖӘНЕ-ЕМЕС ЛЭ-тер, кірісінде Шмитт триггерлері болатын кіреді). Бірақ дайын Шмитт триггерлерінің бұл түрлерінде жұмысқа қосылу табалдырықтары бекітілген, ал кіріс кернеулері арқылы шектелген. ОК-лар негізіндегі Шмитт триггерлері жетілдірушіге стандартты микросхемалар негізіндегі Шмитт триггерлері жарамайтын схемаларды құрастыруға (жинауға) мүмкіндік береді.

 

24 Кернеу қайталағышы/инвертор

Төменде келтіріліп отырған 24.1 суреттегі схеманың күшейту коэффициенті 1-ге тең және шығыс сигналдың полярлығын ауыстырып қосу мүмкіндігі бар.

R1 = R2 = R;  R3 = R4 = R/2

24.1 Сурет. Күшейту коэффициенті оң/теріс таңбалы күшейткіш

Егер ауыстырып қосқыш SW1 ажыратылған болса, онда бұл күшейткіш , яғни кернеу қайталағышқа айналады. Егер SW1 тұйықталған болса, күшейткіш бірлік күшейту коэффициенті болатын, яғни  - қарапайым терістеуші схемаға айналады. Ауыстырып қосқыштың SW1 күйі (яғни, қосылғаны немесе ажыратылғаны) күшейту коэфициентінің «таңбасын» анықтайды.

Схеманы оңайлату (қарапайымдату) үшін 24.1 Суретте кәдімгі механикалық ауыстырып қосқыш көрсетілген, ал тәжірибе жүзінде КМОП – ауыстырып-қосқыштармен пайдаланады, мысалы, 4016 – деп белгіленетін төрт екібағытты  ауыстырып-қосқышты алып, белгілі Лошкалық деңгейлердегі сигналдар келіп түскенде, өте жоғарғы тез әрекеттілікпен (шапшаң) схеманы ауыстырып қосады. Міне осындай күшейткіш бақылаулы-өлшеуіш аппаратурада кеңінен қолданылып жүр.

 

25 Ток/кернеу түрлендіру

 

Жиі токтық сигналдарды кернеуге және керісінше түрлендіруді орындауға келеді. Мысалы, стандартты аналогтық өлшеуіш сигналдың ток күші 4-тен 20 мА-ға дейін болуы мүмкін. Міне осы сигналды дисплей бетінде нәтижелерді бейнелеу үшін кернеуге түрлендіру жиі кездеседі. Осы сияқты керісінше, кернеуді токқа түрлендіру, яғни бұл сигналды (токқа түренген), мысалы, сигналдарды жіберу жүйелерінде пайдалану үшін керек болуы мүмкін.

Аналогтық информацияны айтарлықтай қашық (алыс) жерлерге жібергенде, токтық сигналдар кернеулік сигналдардан гөрі артығырақ, себебі олар (ток түріндегі сигналдар) бөгеуілдердің және тізбек кедергісінің ықпалына кемірек душар болады (ұшырайды). Аналогтық сигналдар үшін ток түріндегі сигналдарды кернеу түріне және керісінше түрлендірулерді орындайтын схемалар келесі 25.1 Суретте көрсетілген.

25.1-Сурет Түрлендіру: а) кернеуді токқа;

б) токты кернеуге.

 

    Жоғарыда (25.1 а) суретте кернеу қайталағышының көмегімен кернеуді токқа түрлендіру схемасы көрсетілген. Әдеттегідей бұл схемада , бірақ , ал бұл жердегі I – жүктемеде ағып тұратын ток. Сондықтан I-ток Vin кернеумен беріледі (тапсырылады) де, жүктеме кедергісіне мүлде тәуелсіз (егер күшейткіштің шығысы қанығу күйінде болмағанда).

    Ток түріндегі сигналды кернеу сигналына түрлендіру үшін (25.1 б)-Суреттегі схема қолданылады. Стандартты ДК (дифференциалды күшейткіш) кірісіне параллель жалғанған жүктеменің кедергісі арқылы ток ағады. Жүктеме кедергісіндегі түсетін кернеудің шамасы IR[B]; ал шығыс кернеуі, жоғарыда сипатталып, айтылып кеткендей, ДК-ның күшейту коэффициентімен анықталады.

    Егер қарастырып отырған схемаларының екеуі бірге пайдаланылса, (25.1 а) және (25.1 б) Суреттердегі резисторлардың кедергілері тең болады да, ал ДК бірлік күшейту коэффициентін қамтамасыз етеді. Сонымен аяғы бұл схема деректерді жіберу жолының буыны болып табылады да, оны аналогтық шамаларды электр бөгеуілдер деңгейі жоғары учаскілер арқылы жіберіп тұруға пайдалануға болады.

 

26.1 - Сурет Шығыс сигналы сызықты өзгеріп тұратын схема:

а) схема

б) кіріс Vin, және шығыс Vout сигналдың уақыттық диаграммалар

 

26 Шығыс сигналы сызықты өзгеретін схема

 

    26.1 Суретте бекітілген жылдамдықпен шығыс сигналдың өзгеруін іске асыратын схема көрсетілген.

    Шығыс кернеуі кіріс кернеуін қайталайды (бірақ терістелген түрде), ал бірақ өзгеру жылдамдығы шектелген болып табылады. Міне осындай схемалар үдеулерді шектеу үшін, мысалы айтайық, электр қозғалтқыштың тозуын кеміту (азайту) мақсатымен пайдаланылып жүр. Жоғарыдағы схеманың1-і күшейткіші (ОК-1) салыстырғыш ретінде жұмыс істейді де, Vout пен Vin кернеулері салыстырылады. Сондықтан егер Vout кернеуі Vin кернеуіне тең болмаса, күшейткіштің (ОК-1) шығысы қанығу күйінде не оң, не теріс полярлығында болады.

    Екінші ОК – бұл интегратор, ол шығыс сигналды интегралдайды. Егер шығыс сигнал 1-і күшейткіш шығысында оң таңбалы болса, онда Vout  - кернеуі сызықты түрде кемиді. Сигналдың сызықты өзгеру жылдамдығы R3 – резистор мен С1 – конденсатордың шамаларымен (мәндерімен) анықталады. Міне, осыған ұқсас: егер ОК-1 күшейткіштің шығыс сигналы теріс таңбалы болса, онда Vout – кернеуі бекітілген жылдамдықпен сызықты түрде өседі.

Егер Vin – кернеу өзгеріп тұрса, онда Vout  – кернеу келесі Vout = Vin теңдеу орындалғанша бекітілген жылдамдықпен сәйкесті бағытта сызықты түрде өзгеріп тұрады. Схеманың жұмыс істеуі (26.1б) Суретте көрсетілген. Кіріс және шығыс сигналдардың теңдігінде (яғни тең болған жағдайда) ОК-1 – күшейткіштің шығысында «0» болуы тиіс, бірақ тәжірибе жүзінде ОК-1 – күшейткіштің шығыс сигнал мәндерінің кездейсоқ флуктуациялары бақыланады. Бірақ бұл жағдай схеманың шығыс сигналына ешбір ықпал етпейді.

 

27 Максимал мәндерді бөліп шығару схемасы

 

Шыңдарды бөліп шығару схемасы сигналдың максимал мәнін сүйемелдеп (ұстап) тұрады.

 

27.1- Сурет Максимал мәндерді бөліп шыығару схемасы:

а) схема;

б) кіріс және шығыс сигналдардың уақыттық диаграммасы.

 

Егер Vin – кернеу Vout кернеуден асып түсетін болса, салыстырғыш ретінде жұмыс істейтін ОК-1 операциялық күшейткіштің шығыс сигналы оң таңбалы болады да, «С» деп белгіленген конденсатор Vout = Vin шарт орындалғанша зарядталады. Ал егер Vin қайтадан кеми бастаса, конденсаторда кернеудің бұрынғы мәні сақталады да, ОК-1 – күшейткіштің шығыс кернеуі Vin – кернеудің мәні Vout кернеудің мәнінен кем болғанда , теріс таңбалы болып шығады.

27.1 Суретте келтірілген схема ішіне D – деп белгіленген кері ығысқан диод енгізілген, міне осының себебінен конденсатор «С» разрядталуын ОК-2 – күшейткіштің кірісі арқылы ғана орындай алатын болады. Бұл ОК-2 – күшейткіштің кірісі әдетте өрістік транзисторлардың негізінде орындалады, ал олар күшейткіштің кіріс кедергісін жоғарылатады. Міне сондықтан шығыста Vin – кернеудің ең жоғарғы мәні (шамасы) ұсталынып (сүйемелденіп) тұрады. Ал егер кері ығысқан диодты кері полярлықпен қоссақ, шығыста Vin – кернеудің ең төменгі мәні ұсталынып тұрады.

Егер диодты физикалық түйіспесі бар ауыстырып-қосқышпен ауыстырсақ немесе логикалық КМОП-вентиль негізіндегі ауыстырып-қосқышпен ауыстырсақ, таңдама және сақтау схемасын аламыз. Бұл схемадағы Vout – шығыс кернеуінің шамасы ауыстырып-қосқышты соңғы рет ажыратқан мезеттегі болған Vin – кернеу мініне (шамасына) тең мән ұсталынып (сүйемелденіп) тұрады. Таңдама және сақтау схемасы ЦАТ-тарда (цифрлы-аналогтық түрлендіргіш) кіріс сигналын бекіту үшін пайдаланылады.

 

 

28 ОК негізіндегі тікбұрышты импульстер генераторы

Генератор дегеніміз тұрақты ток қоректену көзінің энергиясын айнымалы сигнал энергиясына түрлендіруші электрондық схема. Негізінен генераторлар үш категорияға бөлінеді:

-          синусоидалық сигналдар генераторы;

-       тікбұрышты импульстер генераторы;

-       формалары басқа сигналдар генераторы.

Тербелістерді сүйемелдеп тұру үшін келесі шарттар орындалуы тиіс:

-       КБ (кері байланыс) тұзағы тұйықталғанда күшейту коэффициенті бірге тең (немесе одан асып түсуі) болуы тиіс;

-       КБ тұзағындағы сигналдың фазасының ығысуы нөлге тең (немесе 360˚ еселі) болуы тиіс.

Синусоидалық сигналдар генераторларында индуктивті-сыйымдылықтық тізбектердің резонанстық қасиеттерін немесе кварц кристалының электрлік қасиеттерін пайдаланады, ал сигналдың жасанды түрде фазасының ығысуын RC – тізбектерінің көмегімен орындайды. Бұл әдістер жиілігі 0,1 Гц шамасынан бастап 400 МГц шамасынан асып түсетін формасы синусоидалы сигналдардың генераторын жасауға мүмкіндік береді.

Келесі беттегі 28.1 суретте кернеудің тербелу шегін, яғни амплитудасын үлкен етіп жасауға тура келгенде ыңғайлы болатын генератор көрсетілген.

Уақыттық диаграммалардан келесі жағдайды көреміз. Егер t=0 мезетінде күшейткішті қарастырсақ, ол теріс таңбалы қанығу күйінде екенін көреміз де, келесі өрнекті жаза аламыз

бұл жердегі                                       

28.1 Сурет - ОК негізіндегі тікбұрышты импульстер генераторы.

Конденсатор «С» уақыт тапсырушы резистор R арқылы зарядталады да, бұның нәтижесінде «В» - нүктедегі кернеу қоректендіру кернеуінің теріс таңбалы мәніне ұмтылады.

Потенциалдар А мен В нүктелерінде теңескенде «шығыс» оң таңбалы қанығу ауысып-қосылады. Осының нәтижесінде енді келесі өрнекті жаза аламыз:

,

олай болса В-нүктедегі кернеу оң таңбалы қоректендіру кернеуіне қарай ұмтылады. Содан кейін «В» және «А» нүктелердегі кернеу қайтадан бірдей болған жағдайда, «шығыс» қайтадан теріс таңбалы қанығуға өтеді де, цикл қайталанады.

Сонымен, схемада келесі оқиғалардың қайталануы болып тұрады:

-       схеманың шығысындағы кернеу (шығыс кернеуі) V+SAT пен V-SAT – максимал мәндердің арасында тербеліп тұрады;

-       «А» нүктедегі кернеу мәндерінің тербелісі КV+SAT пен КV-SAT мәндер арасында жүреді;

-       «В» нүктедегі кернеу, «А» нүктедегі максимал мәндер арасында Экспонент заңы бойынша түседі де, өседі де.

Тербелістер периодының есептелуі айтарлықтай ұзын, сондықтан бұл жерде біз аяғы қандай нәтиже алуға болатынын келтірейік:

Сонымен, генератор дегеніміз КБ-сі бар күшейткіш. Кері байланыс (КБ) оң болуы тиіс және күшейткіштің кірісімен фазалы, ал КБ-нің тұзақтық тұзақтық күшейтуі тізбектегі шығындардың есесін қайтаратындай, яғни компенсациялайтындай болуы тиіс.

 

29 Интегралдық схемалар негізіндегі күшейткіштер

Айнымалы ток күшейткіштерін интегралдық схемаларды (ИС-терді) қолданып та жасайды, бірақ бұл схемалардың қалыптастырылуы (жиналуы) тұрақты ток күшейткіштерінен немесе логикалық схемалардан өзгешелеу. Қазіргі кезде қарапайым қуатты дыбыс күшейткіштерін сыртқы (шалғай) құраушыларының саны минимал болатын ИС-терден жиналады (құралады).

Дыбыс әуезділігі реттеліне алатын дыбыс күшейткішінің әдеттегі схемасы  29.1  Суретте көрсетілген.

29.1 – Сурет Күрделі емес проигрыватель үшін ИС негізіндегі дыбыс күшейткіші

 

    ИС-терде жиналған күшейткіштер TV-лердің көбінде және тұрмыстық музыка орталықтарында пайдаланылады. Жоғары класс аппаратураларында, яғни  НІ-ҒІ класында, жиі алдын ала күшейткіштерді қолданады. Бұл күшейткіштер транзисторлардан жиналады. Бұның себебі келесі: ИС негізіндегі алдын ала күшейткіштердің шуыл сипаттамалары транзисторлардікінен жоғары.

Ис-тер  жоғары және аралық жиіліктерде жұмыс істейтін схемаларда да пайдаланылады. Бірақ бұл жағдайда дыбыстық күшейткіштердегідей құрауыштар санын күрт кеміте алмаймыз, себебі бұл схемаларда  баптау органдары болуы тиіс. Ал оларды басқа бірдемелермен алмастыруға  болмайды.

    ИС-тердің  көбі белгілі бір нақты салада қолдану үшін жетілдіріледі. Мысалы, қазіргі түрлі - түсті  TV-лерде келесі арнайы жетілдірілген  ИС-тер пайдаланады:

-       аралық жиілік блогы үшін,

-       дыбыс сигналының детекторы үшін,

-       түстілік  сигналының демодуляторы үшін.

Қазіргі кезде TRF деп белгіленетін күшейтетін радиоқабылдағыштарда өндіріс шығарып жүр!  Радиоқабылдағыштың бұл түрі бір кристалдың бетінде жиналған. Сонымен, айнымалы ток күшейткіштердің әмбебаптығы жыл сайын артып тұрады және келешекте  күшейткіштердің бұл  түрі де логикалық элементтерді және тұрақты ток күшейткіштерді таңдап алғандай каталогтарды пайдаланатын боламыз.

 

 

 

30 Негізгі логикалық элементтер

 

     Негізгі логикалық элементтердің (ЛЭ) көбін реле пайдаланушы схемалармен салыстыру ыңғайлы.

ЖӘНЕ-ЛЭ

          Төмендегі 3.69а және 3.69б  Суреттерде ЖӘНЕ ЛЭ- нің символдық

белгіленуі және оған балама реле-схемасы көрсетілген.

А    В

С

0       0

0       1

1       0

1       1

 0

 0

 0

 1

                      

 

     а)                                   б)                                                      

                                                           

                                                                                           в)

30 – Сурет. ЛЭ ЖӘНЕ:

                       а) – символдық белгіленуі;

                       б) – балама схема;

                       в) – ақиқат кестесі;

         "С"-шығыста ЖОҒАРҒЫ деңгей тек "А" және "В" кірістердің екеуінде де ЖОҒАРҒЫ деңгейлер орныққанда ғана, және тек осы жағдайда ғана орнығады. Басқа барлық жағдайларда шығыста ТӨМЕНГІ деңгей бола береді. 30. в) Суретте ақиқат кестесі деп аталатын кесте келтірілген. Бұл кестеде кірістерде болуы мүмкін күйлер комбинацияларының  бәрі және олараға сәйкесті шығыстағы күйлер көрсетілген.

 

 

НЕМЕСЕ ЛЭ:

А    В

С

0       0

0       1

1       0

1       1

 0

 1

 1

 1

                 

 

       

 а)        б)                                       в)

31 – Сурет ЛЭ НЕМЕСЕ:

                       а) – символдық белгіленуі;

                       б) – балама схема;

                       в) – ақиқат кестесі;

          "С"-шығыста ЖОҒАРҒЫ деңгей элемент кірістерінің ең болмағанда біреуінде ЖОҒАРҒЫ деңгей орныққанда орнығады. Бұл операция 3.70 б Суретте көрсетілген реле – схемасының орындайтын операциясына ұқсайды.

     Жоғарыдағы 30 бен 31-Суреттерде ЛЭ екі кірісті. Кірістер саны ЛЭ одан да көп болуы мүмкін. Мысалы, егер ЖӘНЕ-ЛЭ 8-кірісті болса, ЖОҒАРҒЫ деңгей бұл элементтің шығысында, тек барлық 8-кірістерде ЖОҒАРҒЫ деңгей орналасса.

 

ЕМЕС – ЛЭ (Терістеуіш)

 

А

В

 0

 0

1

0

      

       а)                                      б)                                 в)

32 -Сурет Терістеуіш:

                       а) – символдық белгіленуі;

                       б) – балама схема;

                       в) – ақиқат кестесі;

да бір келесі пайдалы қатынасты берейік:

           (51)

31 Логикалық элементтер және логикалық функциялар

 

Логикалық элемент – бұл осы не басқа логикалық функцияны орындай алатын құрылғы.

Y=f(X1,X2,X3,...,Xn) - логикалық функция, ол ақиқат кестесі  деп аталатын кестемен беріледі.

 Лог. функция

Кестедегі жолдар саны – аргуметтің мүмкін мәндерінің саны.

Ол 2n-ге тең, мұндағы n – айнымалылар саны .

n айнымалысының әр түрлі функция саны тең 22n.

 Бір айнымалының логикалық функциясы

 Бір айнымалы функцияның ақиқат кестесі Y=f(X) тұрады

2 жол, ал функцияның  бір айнымалымен саны 4-ке тең.

 1. Константа функциясы 0, Y=0. Бұл функцияның техникалық шығуы - Y шығысын ортақ шинамен нөльдік потенциалмен қосу.

Константа функциясы 0, ақиқат кестесі:

 

Конст. 0

 2. Y=f(X)=X –қайталау функциясы. Бұл функцияның техникалық шығуы – Y және Х шығыстарын қосу. Қайталау функциясының ақиқат кестесі:

 Повторение

 3. Y=f(X)=NOT(X) - терістеу ЕМЕС немесе инверсия (NOT(X) - бұл НЕ X).

Бұл функцияның техникалық шығуы – транзистордағы не логикалық элементте инвертор не транзисторлы кілт. Терістеу функциясының ақиқат кестесі:

 Отрицание

 Логикалық элемент ЕМЕС схемаларда келесідей:
(үстінен X cызықша болып жазылады)

 Лог. НЕ

 4. Константа функциясы 1, Y=1. Бұл функцияның техникалық шығуы – Y шығысын қорек көзімен қосу.

Константа функциясының  ақиқат кестесі:

 Конст. 1

 Бір айнымалының маңызды функциясы ЕМЕС терістеуі жатады.

 

Екі айнымалының логикалық функциясы

Екі айнымалы функцияның ақиқат кестесі Y=f(X1,Х2) тұрады

 4 жол, ал функцияның  екі айнымалымен саны 16-га тең. Екі айнымалының бірнеше функциялары қарастырайық.

 1. Логикалық НЕМЕСЕ (логикалық қосу, дизъюнкция): Y= X1 + X2 = X1VX2

Бұл функцияның техникалық шығуы  екі параллельді қосылған кілт:

OR Rialise

 Логикалық НЕМЕСЕ ақиқат кестесі

 Лог. ИЛИИЛИ

 Логикалық  НЕМЕСЕ элементі схемада  келесідей белгіленеді:

 

 2. Логикалық ЖӘНЕ (логикалық қосу, конъюнкция, сәйкес сүлбесі): Y = X1X2 = X1&X2.  Бұл функцияның техникалық шығуы  екі тізбектей қосылған кілт:

& Realise

 Логикалық ЖӘНЕ ақиқат кестесі:

 Лог. ИИ

 Логикалық ЖӘНЕ элементі схемада  келесідей белгіленеді:

 

3. Пирс сызығының функциясы  (НЕМЕСЕ-ЕМЕС): Y = NOT(X1+X2)

НЕМЕСЕ-ЕМЕС функциясының ақиқат кестесі:

Стрелка ПирсаСтр. Пирса

 Логикалық НЕМЕСЕ-ЕМЕС схемада келесідей белгіленеді:

 

4. Шеффер штрих функциясы (ЖӘНЕ-ЕМЕС): Y = X1|X2 = NOT(X1X2)

ЖӘНЕ-ЕМЕС функциясының ақиқат кестесі:

Штрих ШеффераИ-НЕ

 Логикалық ЖӘНЕ-ЕМЕС сүлбеде келесідей белгіленеді:

 

 

32 Аналогты-цифрлық  функционалды құрылғылар

 

     Аналогты-цифрлық түрлендіргіштер (АЦТ) кіріс аналогты сигналды қабылдап, оларға сәйкес цифрлық сигналдарды өндіреді, бұл сигналдар микропроцессорлармен және басқа да құрылғылармен бірге өңдеуге арналған. 

Үзіліссіз сигналдардың аналогты-цифрлық түрлендіргіш процедурасы, АЦТ көмегімен іске қосылып, үзіліссіз уақыт U(t) функциясын береді, бұл функция бастапқы сигналды кейбір белгіленген уақыт моменттеріне сандар тізбегін U'(tj)}, j=0,1,2,:, жатқызады. Бұл процедураны екі жеке-жеке операцияларға бөлуге болады. Біріншісі, дискретизация деп аталады. Ол U(t) үзіліссіз уақыт функциясын {U(tj)} үзіліссіз.з тізбекке түрлендіреді. Екіншісі кванттау деп аталады да, үзіліссіз тізбекті {U'(tj)}дискреттіге айналдырады. Жалпы жағдайда дискретизацияның жиілігі fj(t) функциясынан және қателіктердің мүмкін деңгейіне тәуелді болады. Осының бәрін  дискретизация жиілігін таңдаған кезде АЦТ керекті жылдамдығын анықтау қажет.  Жиі бұл параметрді АЦТ өңдеушісіне береді.Синусоидалды сигналдың дискретизациясы үшін 100 кГц жиілікті 1% қателікпен АЦТ түрлендіру уақыты 25 нс болуы тиіс. Сол уақытта тез жылдамдықты АЦТ көмегімен спектр ені 20 МГц болатын сигналдарды дискреттеуге болады. АЦТ көмегімен дискреттеу АЦТ жылдамдығы мен дискреттеу периоды айырмашылығына әкеледі. Бұл айырмашылық 2...3 ретке жетеді де дискреттеу процесін қиындатады. 

       Қазіргі уақытта кернеу-кодтардың түрлендіруінің көп әдістері бар.  Бұл әдістер бір-бірінен потенциалды нақтылықпен, түрлендіру жылдамдығымен және аппаратты реализация қиындығымен ерекшеленеді. АЦТ классификациясына уақыт бойынша аналогты шаманың цифрлыққа түрленуі жатады. Сигналдың таңдалынған мәндерінің цифрлық эквивалентке түрленуіне кванттау және кодтау операциялары жатады.  Олар цифрлық элементтің түрлендіруші шамаға тізбекті, параллельді немесе тізбекті-параллельді процедуралары арқылы істейді.

 

Параллельді АЦТ

    АЦТ-ң  бұл түрі сигналды кванттау бір уақытта кіріс сигнал көзіне параллель қосылған компараторларды таңдаумен жүргізіледі. 31.1 Суретте параллельді әдіспен 3-разрядты санғаАЦ түрлендіруі жүргізілеген.

 

Схема параллельного АЦП

33 -Сурет Параллель АЦТ- тың схемасы

 

Үш екілік разрядты сан көмегімен нөлмен қоса, сегіз әртүрлі санды келтіруге болады. Сол үшін жеті компаратор қажет. Жеті сәйкес тіреуіш кернеу ризистивті бөлгішпен пайда болады. Егер берілген кіріс кернеу 5/2h -7/2h диапозон аралығында болса, мұндағы h=Uоп/7 – кіріс кернеу кванты, АЦТ разрядының кіші бірлігіне сәйкес келсе, онда 1 компаратордан 3 компараторға дейін 1жағдайында, ал 4 компаратордан 7-ге дейін  0 жағдайына келеді. Бұл кодтау группаларының үш мәнді екілік санға түрленуін логикалық құрылғы орындайды, ол приоритетті шифратор жағдай диаграммасы 1 кестеде көрсетілген.

К е с т е 1

Кіріс кернеу

Компаратор жағдайы

Шығыстар

Uвх/h

К7

К6

К5

К4

К3

К2

К1

Q2

Q1

Q0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

0

1

0

0

0

0

0

0

1

0

0

1

2

0

0

0

0

0

1

1

0

1

0

3

0

0

0

0

1

1

1

0

1

1

4

0

0

0

1

1

1

1

1

0

0

5

0

0

1

1

1

1

1

1

0

1

6

0

1

1

1

1

1

1

1

1

0

7

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

 

Приоритетті шифратордың АЦТ шығысына қосылуы шығыс кодтың қателігіне әкеледі. Мысалы, үштің төртке ауысуын қарастырамыз немесе екілік кодта 011 ден 100- ауысуы. Егер кіші разряд тоқтау уақыты негізінде үлкен разряд өзінің жағдайын өзгертсе, онда шығыста 111 саны шығады, яғни жеті саны. Бұл жағдайда қате мөлшері өлшенетін диапозонның жартысын алып тұрады.

1-кестеден көрінетіндей, кіріс сигналдары үлкейгенде компараторлар кезекпен төменнен жоғары қарай 1 жағдайына қойылады. Бұл кезек кіріс сигналдың тез өсуінде сақталмайды, себебі тоқтау уақытында компараторлар басқа ретпен қосылады. Приоритетті кодтауда қатені болғызбауға болады, себебі приоритетті шифраторда кіші разрядтағы бірліктерді санамайды. Бір уақытта АЦТ параллель компараторларының жұмысы өте жылдам болады. Бұл түрлендіргіш тізбектелген АЦТ -ның мысалы бола алады, компаратордан, счетчиктан және АЦТ -дан тұрады. Компаратордың бір кірісіне кіріс сигнал түседі, ал екінші кірісіне АЦП-мен кері байланыс сигналы түседі.

Структурная схема АЦП последовательного счета

Структурная схема АЦП последовательного счета

а)

б)

31.2 Сурет -  Тізбекті АЦТ схемасы

 

Түрлендіргіш жұмысы запуск импульсі келгеннен басталады, ол санағышты, генераторлы тактілі импульстерден түсетін импульстердің санының қосындысын қосады. Счетчиктің шығыс коды АЦТ - ке түседі, оны кері байланыстың кернеуіне түрлендіруіне әкеледі.   Түрлендіру процесі кері байланыстың кернеуі кіріс кернеумен теңескенше және компараторды ауыстырып қосады, ол өзінің шығыс сигналымен тактілі импульстерді счетчикке түсуін тоқтатады. Компаратор шығысының 1-ден 0-ге ауысуы түрлендіру процесінің бітуін көрсетеді.  Түрлендіру бітер кезде кіріс кернеуге пропорционалды шығыс код счетчик шығысымен салыстырып оқиды.

АЦТ ерекшелігі үлкен емес тек қана бірнеше килогерцке жететін дискреттеудің жиілігі болады. АЦТ осы сыныпты құрылымы салыстырмалы қарапайым болып келеді .

 

 

 

 

 

 

 

 

Қысқартулар тізімі

 

(ШӨД) Шала өткізгіш диодтар

(ЖН) жұмыс нүктесі

КАР (АРУ) – күшейтуді автоматты реттеу

АС (АХ) – Амплитудалық сипаттама

АЖС (АЧХ) – Амплитудалы-жиіліктік сипаттама

АЭҚ (АЭУ) – Анологты электрондық құрылғы

ЖЖ (ВЧ) – Жоғары жиіліктер

ТТГ (ГСТ) – тұрақтандырылған ток генераторы

ДКас – Дифференциалдық каскад

ДК (ДУ) - Дифференциалдық күшейткіш

ИМС – Интегралдық микросхема

БЖН (ИРТ) – Бастапқы жұмысшы нүкте

ТЖ (НЧ) – төменгі жиілік

ОБ – Ортақ база

ЖҚА (ОБР) – Жұмыстық қауіпсіз аймағы

ОБас (ОИ) – Ортақ бастау

ОКол – ортақ коллектор

ТКБ (ООС) – Теріс кері байланыс

ОҚұй (ОС) ортақ құйма

ОК (ОУ) – операциялық күшейткіш

ОКБ (ПОС) – оң кері байланыс

 

 

 

Әдебиеттер тізімі

 

1.     Берикулы Әлімжан Техникалық электроника: Жоғарғы техникалық оқу орындары студенттеріне арналған оқулық. – Алматы: Білім, 1995. – 196 бет.

2.     Берикулы Ә. ЭВМ және электроника. – Алматы, 1995. – 150 с.

3.     Джурунтаев Дж.З. Схемотехника. – Алматы: “Эверо”, 2005.

4.     Алексеев А.Н., Шайхин Б.М. Электроника мен фотониканың физикалық негіздері. Оқу құралы, АЭИ, Алматы, 1992 ж.

5.     Булычев А.Л., Лямин Е.С., Тулинов Е.С. Электронные приборы. – М.: Лайт Лтд., 2000. – 416 с.

6.     Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учебное пособие. – Ростов на Дону: Феникс, 2000. – 448 с.

7.     Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Сов. радио, 2000.

8.     Джонс М.Х. Электроника: Практический курс /Библиотека современной электроники. – М.:, 1999. – 528 с.

9.     Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях: Практикум на Electronics Workbench. В 2 т. – М. – Т1: Электротехника (+СД). – 1999. – 304 с.; Т2: Электроника (+СД). – 2000. –288 с.

10.  Аксенов А.И., Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы. Транзисторы биполярные и полевые. Аналоги отечественных и зарубежных приборов. Кн.1: Справочное пособие. – М.: Солон-Р, 1999. – 496с.

11. Тугов Н,М., Глебов Б. Д., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. –М.: Энергоатомиздат 1990. – 578 с.

12. Полупроводниковые приборы: диоды ВЧ, диоды импульсные, оптоэлектронные приборы: Справочник. – М.: Радиосвязь. 1988 – 592 с.

13.  Интегральные микросхемы. Справочник.– М: Энергоатомиздат, 1985.

14.  Носов Ю.Р., Сидоров А.С. Оптроны и их применение. – М .:Радио и связь, 1981. - 280 с.

15.  Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Справочник /Иванов В.И. др. – М .: Энергоатомиздат, 1989. – 448 с.

16.        Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesigLab 8/0. – М.: Солон, 1999.– 698 с.

17.  Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. – М.: Солон, 2000.